FMC07N50E 时间：2025/8/9 11:19:32 阅读：27

FMC07N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和马达控制电路。该MOSFET具有低导通电阻、高击穿电压以及良好的热稳定性，适用于中高功率的应用场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为1.2Ω（典型值可能更低）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FMC07N50E具有多个优异的电气特性，使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其500V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用，能够有效支持多种电源拓扑结构，例如反激式转换器和正激式转换器。其次，该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，从而提高系统效率。此外，FMC07N50E的封装形式为TO-220，这种封装不仅具备良好的散热性能，还能方便地安装在散热片上以增强热管理能力。
　　这款MOSFET还具备较高的栅极稳定性，能够在±30V的栅源电压范围内正常工作，使其适用于各种驱动电路。其最大连续漏极电流为7A，适用于中等功率的开关应用。同时，FMC07N50E具有较低的输入电容和输出电容，适合高频开关操作，减少开关损耗并提升整体性能。最后，该器件的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间稳定运行，适用于工业和车载等较为严苛的环境。

应用

FMC07N50E广泛应用于各类电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动电路、马达控制模块以及家用电器中的功率控制部分。其高电压能力和良好的导通特性使其在离线式电源设计中表现尤为突出。此外，由于其高频性能良好，FMC07N50E也适用于谐振变换器和准谐振变换器等先进拓扑结构。在工业自动化、通信设备和消费电子产品中，该MOSFET常用于实现高效、紧凑的电源解决方案。