时间：2025/8/8 19:31:27
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FMC06N90E 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效率功率转换应用。FMC06N90E 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适用于工业电源、开关电源（SMPS）和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：6A
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（最大）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
FMC06N90E 的核心特性包括高耐压能力（900V VDS），使其适用于高电压开关应用；低导通电阻（最大 2.2Ω）可降低导通损耗，提高能效；此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，适用于高频开关电源设计，减少开关损耗并提升系统效率。TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上，确保长时间运行的可靠性。
其栅极驱动特性较为稳定，能够兼容常见的驱动电路，如PWM控制器和MOSFET驱动IC，适用于多种功率转换拓扑，如反激式、正激式和LLC谐振变换器。
FMC06N90E 常用于工业电源、开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制和电源适配器等领域。其高耐压特性也使其适用于需要高隔离电压的AC/DC转换电路，如家电控制板和工业自动化设备中的功率开关。
FQA6N90C, 2SK2545, FCH07N60F, FCP6N90E
