时间：2025/8/8 17:40:25
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FMB06N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由FORTIOR TECHNOLOGY（富鼎）公司生产。该器件具有高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点，适用于各种高频率、高效率的开关应用。FMB06N60ES采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合用于电源管理和功率转换系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A
漏源极击穿电压（VDS）：600V
栅源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(ON)）：典型值为1.2Ω
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FMB06N60ES具有多项优良特性，适合多种功率应用。其高耐压能力达到600V，使该器件能够在高压系统中稳定运行。低导通电阻（RDS(ON)）有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，FMB06N60ES的栅极驱动电压范围宽，支持±30V，这增强了其在不同控制电路中的适用性。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。TO-220封装提供了良好的散热能力，确保在高电流条件下也能保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
FMB06N60ES广泛应用于多种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动系统以及照明控制电路。在开关电源中，FMB06N60ES可用于主开关或同步整流器，提高转换效率并减小电源体积。在电机驱动系统中，该MOSFET可用于H桥结构，实现对电机的高效控制。此外，它还可用于工业自动化设备、家电控制电路以及LED驱动电源等应用场景。
FMB06N60E、FMP06N60ES、FQA06N60C、STP6NK60Z、IRFBC20
