2SK1654 时间：2025/12/28 4:13:04 阅读：7

2SK1654是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高电流和低导通电阻的功率应用场合。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，能够在较小的封装内实现优异的电气性能。2SK1654特别适用于要求紧凑设计和高效能转换的现代电子设备中。其主要特点包括低栅极电荷、低输入电容以及快速开关能力，这些特性使其在高频开关环境下表现出色。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用需求。器件通常采用SOP Advance或类似的小型表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。由于其出色的动态和静态参数，2SK1654广泛应用于笔记本电脑适配器、LCD电视电源、LED驱动电源、通信电源模块等消费类与工业类电子产品中。

参数

型号：2SK1654
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：19A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：7.5mΩ（@ Vgs=10V, Id=10A）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V～2.5V
　　栅极电荷（Qg）：17nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1020pF（@ Vds=15V）
　　功耗（Pd）：80W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOP Advance（Power SO-8）

特性

2SK1654具备多项优异的电气与热性能特征，使其成为中低电压功率转换应用中的理想选择。首先，其极低的导通电阻Rds(on)仅为7.5mΩ，在同类N沟道MOSFET中处于领先水平，能够显著降低导通损耗，提高整体电源转换效率。这对于电池供电设备或对能效要求较高的绿色能源产品尤为重要。
　　其次，该器件采用了优化的沟槽结构设计，有效降低了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），从而减少了开关过程中的驱动损耗，并支持更高的开关频率操作。这意味着在DC-DC变换器或同步整流电路中，可以使用更小的滤波元件，进一步缩小电源系统的体积。
　　再者，2SK1654具有良好的热传导性能，得益于其采用的先进封装技术，热量可以从芯片通过底部散热焊盘高效传递到PCB，提升了长期运行的稳定性与可靠性。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态负载变化或异常工况下保持安全运行。
　　此外，其栅极阈值电压范围合理（1.0V～2.5V），兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或驱动IC直接接口，简化了外围电路设计。器件还通过了JEDEC标准的可靠性测试，符合RoHS环保要求，适用于自动化贴片生产工艺。综上所述，2SK1654凭借其低Rds(on)、低Qg、高电流能力和紧凑封装，在高性能电源管理领域展现出强大的竞争力。

应用

2SK1654广泛应用于各类中低电压直流电源管理系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在主板VRM（电压调节模块）或显卡供电电路中作为下管（Low-side MOSFET）使用，因其低导通电阻可显著减少功率损耗，提升转换效率。
　　此外，它也被用于笔记本电脑适配器、平板电源、LCD背光驱动电源以及小型UPS系统中的开关拓扑结构，如Buck、Boost和同步整流反激式转换器。
　　在通信设备中，2SK1654可用于服务器电源模块或PoE（以太网供电）系统的DC-DC级联转换，提供稳定的电压输出。
　　由于其小型化封装和高功率密度特性，该器件非常适合空间受限但性能要求高的便携式电子设备，例如移动电源、充电器和USB PD快充模块。
　　工业控制领域中，2SK1654还可用于电机驱动电路、继电器替代开关或智能电源分配单元，实现高效的能量控制与管理。
　　总之，凡是需要高效、小型化、高可靠性的N沟道功率MOSFET的应用场景，2SK1654都是一个值得优先考虑的器件选项。