FMA70N04T1 时间：2025/12/29 17:10:09 阅读：16

FMA70N04T1是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流、低电压应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热性能。FMA70N04T1通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用中。其封装形式为DPAK（TO-252），适合表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：70A
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值5.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DPAK (TO-252)

特性

FMA70N04T1具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在40V的漏源电压下可承受高达70A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力。
　　此外，FMA70N04T1采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了系统的动态响应能力。其栅极驱动电压范围为10V至20V，能够确保稳定的导通状态并防止误触发。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。DPAK封装设计提供了优良的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于在PCB上进行自动化组装，提高了生产效率和可靠性。
　　在保护特性方面，FMA70N04T1具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在过压或负载突变情况下保持稳定运行，增强了系统的耐用性和可靠性。

应用

FMA70N04T1广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。其高电流能力和低导通电阻使其成为DC-DC转换器、同步整流器和负载开关的理想选择。在汽车电子系统中，它可用于车载电源管理、电机控制以及电池管理系统（BMS）中。
　　此外，该MOSFET也适用于工业控制设备，如伺服电机驱动器、工业电源模块和自动化系统中的高侧/低侧开关。在消费类电子产品中，FMA70N04T1可用于高功率USB电源管理、充电器和适配器等应用。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，FMA70N04T1也被广泛应用于LED照明驱动、电源分配系统和高效率电源模块中。