时间：2025/8/9 17:40:44
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FMA20N50E是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高功率电子设备中。该器件采用先进的平面条形沟槽工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。FMA20N50E封装在TO-220AB或D2PAK（表面贴装）封装中，适合多种电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.22Ω（典型值为0.18Ω）
耗散功率（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电荷（Qg）：约40nC
输入电容（Ciss）：约1200pF
封装形式：TO-220AB或D2PAK
FMA20N50E具有多个关键特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET具有高击穿电压（500V），能够在高压环境下稳定运行，适用于各种高电压应用。此外，FMA20N50E的快速开关特性降低了开关损耗，提高了系统的响应速度。
该器件的热性能也非常出色，能够在高功耗条件下保持稳定运行，避免过热损坏。FMA20N50E还具有良好的抗雪崩能力和高能量耐受性，适用于需要频繁开关和承受瞬态高压的电路环境。其封装设计也便于散热，适用于多种散热条件和安装方式。
FMA20N50E广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。例如，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器和电池充电器等电源管理系统。此外，该MOSFET还可用于LED照明系统、太阳能逆变器以及工业自动化和控制系统。
由于其高电压耐受性和优异的导通性能，FMA20N50E也常用于家用电器、电动工具和汽车电子系统中。例如，在空调、洗衣机和冰箱等家电中，它用于控制压缩机和风扇的运行。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统和DC-AC逆变器等应用。
FQA20N50C, FDP20N50, IRFBC40, FMA24N50E
