时间：2025/8/9 17:12:00
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FMA18N25G 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高功率、高频开关应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适用于电源转换器、DC-DC转换器、马达控制、开关电源（SMPS）等应用场景。FMA18N25G 采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于工业级应用环境。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：250V
连续漏极电流（ID）：18A
导通电阻（RDS(on)）：0.145Ω @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：最大 ±20V
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
FMA18N25G 具备多个关键特性，适用于高性能功率管理应用。首先，其漏源耐压（VDS）为250V，使其适用于中高压功率转换系统。其次，该器件的连续漏极电流可达18A，具备较强的电流承载能力，适用于高功率输出设计。导通电阻仅为0.145Ω，在导通状态下能有效降低功率损耗，提高系统效率。
此外，FMA18N25G 支持高达±20V的栅极电压，增强了其在不同驱动条件下的稳定性和兼容性。其TO-220封装具备良好的散热性能，能够适应较为严苛的工作环境。该器件的热阻较低，有助于提高整体系统的可靠性。
在高频开关应用中，FMA18N25G 的开关损耗表现优异，有助于提高转换效率并减小功率模块的体积。此外，其内部结构优化了寄生电容，降低了高频工作下的开关损耗，提高了整体系统的响应速度和稳定性。
由于其良好的电气特性和热管理能力，FMA18N25G 被广泛应用于各类工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、逆变器以及太阳能转换系统等。
FMA18N25G 被广泛应用于各类功率电子系统，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器中的主开关元件，提高转换效率并减小电源体积。
2. DC-DC转换器：在升降压（Buck-Boost）拓扑中作为功率开关，实现高效的电压调节。
3. 电机控制：用于H桥驱动电路，实现电机的正反转及调速控制。
4. 逆变器系统：作为逆变桥中的开关元件，用于将直流电转换为交流电，适用于UPS和太阳能逆变器。
5. 工业自动化设备：在PLC、伺服驱动器等控制系统中用于负载开关和功率调节。
6. 电池管理系统：用于充放电回路的控制，实现对电池组的高效管理。
IRFZ44N, FDP18N25, STP18NF25, FQA18N25C
