型号：B32652A6104K
　　制造商：TDK Electronics (EPCOS)
　　电容：100nF (0.1μF)
　　电容容差：±10%
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度系数变化：±15%
　　封装尺寸：1812 (4532 mm)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　介质材料：陶瓷
　　产品系列：B32652
　　RoHS合规：是
　　无铅：是
　　失效率：标准
　　最小包装数量：1000只/卷带

B32652A6104K作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备多项关键特性，使其在复杂电子环境中表现出色。首先，其采用X7R类电介质材料，确保了在宽温度范围（-55°C至+125°C）内电容值的稳定性，电容变化不超过±15%，这对于需要长期稳定运行的工业和汽车应用至关重要。其次，该器件具备100V的直流额定电压，在相同尺寸下提供了较高的耐压能力，能够在中高压电路中可靠工作，例如开关电源的输入滤波或DC-DC转换器的输出端去耦。其100nF的电容值在高频下仍能保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而有效抑制噪声和电压波动，提升系统电源完整性。
　　此外，B32652A6104K采用1812（4532mm）封装，兼顾了高容量与可制造性，既能在有限空间内提供足够的储能，又适合自动化贴片设备进行高速装配，提高生产效率。该器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环和耐久性试验，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其多层结构设计增强了抗机械应力能力，减少因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险。同时，该电容器符合RoHS和REACH环保指令，不含铅及其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。
　　在高频应用中，B32652A6104K表现出良好的频率响应特性，尽管X7R材料的介电常数随频率升高而下降，但在数十MHz范围内仍能维持有效电容值，适合用于中频滤波和旁路场景。其低损耗因子（tanδ）也意味着能量损耗小，发热低，有助于提高整体系统能效。综上所述，B32652A6104K凭借其稳定的电气性能、优良的环境适应性和成熟的制造工艺，成为众多中高端电子设备中不可或缺的关键元件。

B32652A6104K广泛应用于多个电子领域，尤其适用于对可靠性、稳定性和小型化有较高要求的场合。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器的输入和输出滤波电容，有效平滑电压波动并抑制高频噪声。在工业控制设备中，该电容器用于PLC模块、传感器接口和电机驱动电路的去耦，保障控制信号的稳定性。在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）电源单元，B32652A6104K因其宽温特性和高可靠性而被广泛采用。此外，它也适用于通信设备中的射频模块旁路、FPGA和微处理器的电源去耦，以及医疗电子设备中的信号调理电路。消费类电子产品如高端电视、路由器和电源适配器同样受益于其紧凑尺寸和稳定性能。由于其符合AEC-Q200标准的部分严苛测试条件，该器件在汽车级应用中具备较强竞争力。无论是高温、高湿还是振动环境下，B32652A6104K均能保持良好性能，满足现代电子系统对元器件耐用性和一致性的严格要求。

GRM43F7DB104KA12D