FMA12N50E 时间：2025/8/9 18:44:20 阅读：20

FMA12N50E是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面条形技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。其500V的漏源击穿电压（VDS）和高达12A的漏极电流（ID）使其在电源转换器、DC-DC变换器和电机驱动等应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.42Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：100W

特性

FMA12N50E具有多项优良特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其典型值为0.42Ω，确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，FMA12N50E具备高耐压能力，漏源击穿电压（VDS）达到500V，适合用于高电压环境，如电源适配器、充电器和工业电源系统。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，通常在10V至15V之间可实现充分导通，适用于多种驱动电路设计。
　　再者，FMA12N50E采用TO-220封装，具备良好的热性能和机械稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其最大功耗为100W，支持高功率密度设计，适用于紧凑型电源系统。
　　最后，该器件具有较高的可靠性和耐用性，符合工业级温度范围要求（-55°C至150°C），可在恶劣环境中长期稳定工作。

应用

FMA12N50E广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和LED照明驱动电路。在开关电源中，该MOSFET可用于主开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可用于H桥电路中的高边或低边开关，控制电机的运行状态。此外，该器件也可用于工业自动化设备、电池管理系统（BMS）和光伏逆变器等场景，提供高可靠性的功率控制解决方案。