FMA10N60E 时间：2025/8/9 18:47:41 阅读：26

FMA10N60E是一款由FAIRCHILD（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET具有600V的漏源电压（Vds）和10A的连续漏极电流（Id），适用于多种高电压和高功率的应用场景。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：10A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω
　　栅极电荷(Qg)：28nC
　　输入电容(Ciss)：900pF
　　输出电容(Coss)：300pF
　　反向恢复时间(trr)：35ns

特性

FMA10N60E具备多个显著的技术特性。首先，其高耐压特性（600V Vds）使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于开关电源、DC-AC逆变器等应用场景。
　　其次，该MOSFET的导通电阻较低（典型值0.45Ω），有助于减少导通损耗，提高整体电源效率。在高功率应用中，这显得尤为重要。
　　此外，FMA10N60E的栅极电荷（Qg）仅为28nC，这有助于降低开关损耗，从而在高频开关电路中表现出色。其输入电容（Ciss）为900pF，输出电容（Coss）为300pF，这些参数优化了MOSFET的开关性能，使其适合用于需要快速开关的应用。
　　该器件的反向恢复时间（trr）为35ns，这表明其体二极管具有较快的恢复速度，减少了在反向恢复过程中产生的能量损耗，进一步提高了系统效率。
　　最后，FMA10N60E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够有效降低工作时的温度，提高器件的可靠性和寿命。

应用

FMA10N60E广泛应用于多种电源管理和功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、直流-交流逆变器、电机控制电路以及功率因数校正（PFC）电路。在开关电源中，FMA10N60E可以作为主开关器件，负责高效地转换和调节电压，满足不同负载的需求。
　　在DC-AC逆变器中，该MOSFET可用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备。由于其低导通电阻和快速开关特性，FMA10N60E能够显著提高逆变器的效率和稳定性。
　　此外，FMA10N60E也适用于电机控制应用，如电动工具、风扇和泵的驱动电路。在这些应用中，MOSFET可以用于调节电机的速度和扭矩，实现精确控制。
　　最后，该器件还可用于功率因数校正电路，帮助电源系统提高功率因数，减少电网的无功功率损耗。