时间：2025/5/13 9:50:27
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GMC04CG1R6C100NT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等应用。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，从而显著提高了系统效率并减小了体积。
作为新一代半导体材料，氮化镓具备更高的击穿电场强度、更优的热传导性能和更低的寄生参数，这使得 GMC04CG1R6C100NT 能够在高频条件下保持高效运行，同时降低电磁干扰（EMI）和开关损耗。
型号：GMC04CG1R6C100NT
类型：增强型场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650 V
额定电流：100 A
导通电阻：16 mΩ
栅极电荷：120 nC
反向恢复时间：无反向恢复特性（零 Qrr）
封装形式：TO-247-4L
GMC04CG1R6C100NT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效的功率传输；
2. 高速开关能力，支持高达数 MHz 的工作频率；
3. 零反向恢复电荷，有效减少开关损耗；
4. 更高的功率密度，能够显著缩小电路尺寸；
5. 出色的热性能，适合高温环境下的长期稳定运行；
6. 内置保护功能，如过流保护和短路耐受能力；
7. 支持多种驱动方式，兼容传统硅 MOSFET 的驱动电路。
这些特性使其成为高频功率转换、无线充电、服务器电源和电动车辆充电系统中的理想选择。
GMC04CG1R6C100NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），尤其是 LLC 谐振转换器和 PFC 级别；
2. DC-DC 转换器，用于电动汽车充电设备和工业自动化系统；
3. 射频功率放大器，在通信基站和雷达系统中发挥重要作用；
4. 快速充电器和适配器设计，以实现更高效率和更小尺寸；
5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块；
6. 数据中心服务器电源，提供更高可靠性和更低功耗。
GMC04CG1R6C80NT, GMC04CG1R6C120NT
