时间：2025/8/9 8:21:56
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FMA03N60E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，属于其超级结（Super Junction）MOSFET产品系列。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、充电器和DC-DC转换器等。FMA03N60E具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：3A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（典型值，具体取决于测试条件）
栅极电荷（Qg）：约15nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
最大功耗（Pd）：约40W
FMA03N60E采用了富士电机的超级结技术，该技术显著降低了导通电阻（Rds(on)）并提高了器件的开关性能，从而在高频应用中实现更高的效率。其低Rds(on)特性有助于减少导通损耗，从而降低工作温度并提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，使其适用于高频率开关应用。FMA03N60E的TO-220封装提供了良好的散热性能，能够承受较高的功率耗散。此外，该器件还具备较高的雪崩耐受能力和较强的短路承受能力，增强了其在严苛工作环境下的可靠性。
FMA03N60E的典型应用包括高效率的电源适配器、LED照明驱动器、电池充电器以及DC-DC转换器。其设计使其在高频率下仍能保持稳定的工作状态，适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。
FMA03N60E广泛应用于各种高效率电源管理系统中，包括AC-DC转换器、LED照明驱动器、笔记本电脑和手机充电器、工业电源设备、太阳能逆变器以及DC-DC转换器。由于其具备低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET在高频率电源设计中表现出色，可有效减少功率损耗并提高整体系统效率。
FQA3N60C、FQP3N60、IRFBC30、FCH07N60N、FDB04N60
