时间：2025/5/23 2:56:30
阅读：5
FM55X224K631EFG 是一款由富满微电子（Fullchip Microelectronics）推出的高速、低功耗 SRAM 存储芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具备高性能和高可靠性特点，适用于需要快速数据存取的应用场景。
这款 SRAM 芯片具有静态存储功能，无需刷新操作即可保持数据完整性，非常适合对实时性和稳定性要求较高的系统设计。
类型：SRAM
容量：2M x 8 bits (16Mb)
工作电压(Vcc)：1.7V 至 1.9V
接口类型：同步接口
访问时间：5.5ns（最大值）
数据保留时间：无限期（在规定的工作条件下）
封装形式：FBGA-63
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：63
FM55X224K631EFG 具备以下显著特性：
1. 高速运行能力：支持高达 180MHz 的时钟频率，确保了快速的数据吞吐。
2. 低功耗设计：待机模式下功耗极低，有助于延长便携式设备的电池寿命。
3. 静态存储：无需动态刷新机制，简化了系统设计并提高了数据的可靠性。
4. 同步接口：与现代处理器和控制器兼容，便于集成到各种嵌入式系统中。
5. 宽工作电压范围：支持 1.7V 至 1.9V 的低电压操作，满足低功耗应用需求。
6. 高密度封装：采用 FBGA-63 封装，节省 PCB 空间，适合小型化设计。
FM55X224K631EFG 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化控制：用于实时数据采集和处理，保障工业设备高效稳定运行。
2. 消费类电子产品：如数码相机、打印机缓冲区等，提供快速存储和读取功能。
3. 通信设备：在网络路由器、交换机等中用作缓存或临时存储。
4. 嵌入式系统：作为主处理器的外部存储器扩展，提升系统性能。
5. 医疗设备：例如监护仪、超声波设备中的图像处理模块，确保数据准确性和及时性。
FM55V224K631EFG
IS61WV2048BLL-10TI
CY62256FV30LL
