FM31X333K631EEG是一款由富士通(Fujitsu)推出的铁电随机存储器(FRAM),具有非易失性、高速写入和低功耗的特点。该器件采用I2C接口,能够在断电后保存数据,并支持高达4.5V至5.5V的工作电压范围。其独特的铁电技术使其具备了卓越的耐用性和数据完整性,适用于需要频繁写入的应用场景。
工作电压:4.5V至5.5V
存储容量:32Kb
接口类型:I2C
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:SOP-8
写入周期:无限次
读取时间:70ns
写入时间:小于150ns
FM31X333K631EEG采用了先进的铁电随机存取存储器(FRAM)技术,相比传统的EEPROM或闪存,它具有更快的写入速度和更高的耐久性。其非易失性确保在电源关闭后数据不会丢失,同时低功耗设计使其非常适合便携式设备和物联网应用。
此外,该芯片内置了一个唯一的序列号,便于识别和管理多个设备。由于其出色的抗辐射性能和高可靠性,FM31X333K631EEG还特别适合工业控制、医疗设备以及汽车电子等对稳定性和安全性要求较高的领域。
该芯片广泛应用于需要频繁写入且数据完整性至关重要的场景,例如数据记录仪、工业自动化系统、智能仪表、医疗监控设备和消费类电子产品。其快速写入特性和非易失性使其成为替代传统EEPROM和闪存的理想选择。
另外,在汽车电子系统中,如事件记录器和黑匣子,FM31X333K631EEG可以实现实时数据记录和保存,从而提高系统的安全性和可靠性。
MB85RC256V
AT24C256
CAT24C256