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FM31X333K631EEG 发布时间 时间:2025/6/23 19:24:57 查看 阅读:6

FM31X333K631EEG是一款由富士通(Fujitsu)推出的铁电随机存储器(FRAM),具有非易失性、高速写入和低功耗的特点。该器件采用I2C接口,能够在断电后保存数据,并支持高达4.5V至5.5V的工作电压范围。其独特的铁电技术使其具备了卓越的耐用性和数据完整性,适用于需要频繁写入的应用场景。

参数

工作电压:4.5V至5.5V
  存储容量:32Kb
  接口类型:I2C
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOP-8
  写入周期:无限次
  读取时间:70ns
  写入时间:小于150ns

特性

FM31X333K631EEG采用了先进的铁电随机存取存储器(FRAM)技术,相比传统的EEPROM或闪存,它具有更快的写入速度和更高的耐久性。其非易失性确保在电源关闭后数据不会丢失,同时低功耗设计使其非常适合便携式设备和物联网应用。
  此外,该芯片内置了一个唯一的序列号,便于识别和管理多个设备。由于其出色的抗辐射性能和高可靠性,FM31X333K631EEG还特别适合工业控制、医疗设备以及汽车电子等对稳定性和安全性要求较高的领域。

应用

该芯片广泛应用于需要频繁写入且数据完整性至关重要的场景,例如数据记录仪、工业自动化系统、智能仪表、医疗监控设备和消费类电子产品。其快速写入特性和非易失性使其成为替代传统EEPROM和闪存的理想选择。
  另外,在汽车电子系统中,如事件记录器和黑匣子,FM31X333K631EEG可以实现实时数据记录和保存,从而提高系统的安全性和可靠性。

替代型号

MB85RC256V
  AT24C256
  CAT24C256

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