时间：2025/6/9 14:06:49
阅读：5
FM31X224K251EEG 是一款由富士通（Fujitsu）推出的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储技术，能够在断电时保存数据，同时提供 SRAM 的快速访问速度。这款 NVSRAM 芯片广泛应用于需要高可靠性、低功耗和快速数据保存的场景。
FM31X224K251EEG 提供 262,144 位（32KB）的存储容量，支持字节宽度的数据访问，并具备多种特性以确保数据完整性与系统性能。
存储容量：262144 bits (32KB)
接口类型：SPI
工作电压：1.7V 至 3.6V
数据保持时间：超过10年
擦写耐久性：超过1亿次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSSOP-8
FM31X224K251EEG 具有以下显著特性：
1. 非易失性：即使在断电的情况下，数据也可以永久保存，无需额外的后备电源。
2. 高速读写：其基于 SRAM 的架构提供了极快的访问速度，适合实时数据记录和处理。
3. 低功耗：采用先进的制造工艺，大幅降低运行功耗，特别适用于电池供电设备。
4. 高可靠性：支持高达一亿次的擦写周期，能够应对高频数据更新的需求。
5. 宽工作电压范围：支持从 1.7V 到 3.6V 的工作电压，适应不同的电源环境。
6. 数据完整性保护：内置硬件保护机制，防止意外断电或干扰导致的数据丢失。
FM31X224K251EEG 广泛用于以下领域：
1. 工业自动化：如 PLC 控制器中的数据日志记录和关键参数保存。
2. 医疗设备：如便携式健康监测仪中的用户数据存储。
3. 消费电子：如智能家电中配置信息的保存。
4. 通信设备：在网络路由器或交换机中存储配置文件和状态信息。
5. 物联网（IoT）：在传感器节点中记录采集到的数据并确保数据不丢失。
FM31C224K251EFG, FM31C224K251EGG
