FM31X223K251ECG 是富士通(Fujitsu)生产的低功耗、高性能的铁电随机存取存储器(FRAM),具有非易失性存储特性。FRAM 结合了 RAM 的高速读写和 ROM 的非易失性,能够在断电后保存数据。该型号主要应用于需要频繁写入且要求高可靠性的场景,例如工业控制、医疗设备、汽车电子以及物联网设备等。
FM31X223 系列采用 SPI 接口,支持高达 40MHz 的时钟频率,同时具备极低的功耗性能和快速写入能力。与传统的 EEPROM 和闪存相比,FRAM 提供更高的耐用性和更快的写入速度。
容量:256Kb
接口类型:SPI
工作电压:1.8V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSSOP-8
存储单元技术:FeRAM (铁电随机存取存储器)
写入次数:超过 10^12 次
数据保持时间:超过 10 年
最大时钟频率:40MHz
FM31X223K251ECG 的主要特点是其基于 FRAM 技术,提供卓越的耐用性和快速写入功能。它无需写入延迟即可完成数据存储,并且在写入过程中不消耗额外功率。此外,该芯片的非易失性确保数据在断电后不会丢失,同时具备较低的工作电压范围以适应多种应用场景。
由于其高耐久性,该芯片非常适合需要频繁记录数据的应用环境,如数据日志记录、配置参数存储或实时监控系统中的关键信息存储。
其低功耗特性和宽泛的工作温度范围也使其成为电池供电设备和恶劣环境下的理想选择。
FM31X223K251ECG 广泛用于各种对数据可靠性要求较高的领域,包括但不限于以下方面:
- 工业自动化中的数据记录和配置存储
- 医疗设备的数据采集和状态保存
- 汽车电子系统中的事件记录和传感器数据存储
- 物联网设备中的实时数据记录
- 家用电器的状态记忆功能
凭借其优异的性能和可靠性,FM31X223K251ECG 在多个行业中被广泛采用。
FM31X223B251EAG, MB85RC256V