时间：2025/5/19 18:03:05
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FM31X102K501ECG是一款高性能、低功耗的铁电随机存取存储器（FRAM），由富士通微电子生产。该芯片结合了RAM的高速写入特性和闪存的非易失性，能够在断电后保存数据。FM31X102K501ECG适用于需要频繁数据记录和快速响应的应用场景。
FRAM技术具有高耐久性、低功耗以及快速写入的特点，因此在工业控制、医疗设备、计量仪器和汽车电子等领域得到了广泛应用。
容量：256Kb
接口类型：I2C
工作电压：1.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读/写耐久性：超过10^12次
数据保存时间：超过10年
I2C时钟频率：最高1MHz
封装形式：8-SOIC
引脚间距：1.27mm
FM31X102K501ECG采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术，相比传统EEPROM或闪存具备以下优势：
1. 高耐久性：支持高达1012次的读写周期，非常适合需要频繁数据更新的应用。
2. 快速写入：无需等待擦除操作即可直接写入数据，显著提升了系统性能。
3. 低功耗：写入操作的功耗远低于闪存，特别适合电池供电的便携式设备。
4. 简化设计：由于其非易失性特点，减少了对后备电池的需求，简化了电路设计。
5. 小型封装：使用标准8引脚SOIC封装，易于集成到各种应用中。
FM31X102K501ECG适用于多种需要高频数据记录及高可靠性的场景，包括但不限于：
1. 工业自动化：用于控制器和传感器中的数据日志记录。
2. 医疗设备：如血糖仪、心率监测仪等，用以保存关键用户数据。
3. 智能仪表：水表、电表、气表中的能耗数据采集与存储。
4. 汽车电子：如事件数据记录器（EDR）或故障诊断系统中的数据缓存。
5. 物联网设备：边缘节点设备的数据暂存和长期存储。
MB85RC256V, CAT24C256
