FM31N681J631ECG 是富士通(Fujitsu)推出的一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)。该芯片结合了高速 SRAM 和高可靠性 EEPROM 的特点,能够在断电时自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储器中。这款 NVSRAM 具有低功耗、快速读写和长寿命的特点,适用于需要频繁数据存储和掉电保护的工业及嵌入式应用。
FM31N681J631ECG 支持 I2C 接口通信,并内置锂电池以确保在主电源失效时的数据完整性。
容量:64Kbit
接口:I2C
工作电压:1.7V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOP-8
数据保持时间:超过10年
写入次数:100万次(EEPROM部分)
典型工作电流:1μA(待机电流)
FM31N681J631ECG 的主要特性包括:
1. 高速数据访问能力,支持 SRAM 级别的读写速度。
2. 内置锂离子储能电池,在主电源中断时提供临时电力以完成数据保存。
3. 自动数据备份功能,当检测到电源下降时,能够迅速将 SRAM 数据转移到非易失性存储区。
4. 集成了 EEPROM 单元用于长期存储数据,保证数据即使在长期断电情况下也不会丢失。
5. 提供多种地址映射方式,便于灵活配置和管理存储空间。
6. 宽工作电压范围和较高的环境温度适应能力,使其适合于各种恶劣环境下使用。
FM31N681J631ECG 芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化设备中的参数设置和状态记录。
2. 嵌入式系统中对关键数据进行实时存储和断电保护。
3. 医疗仪器的数据日志记录与校准信息存储。
4. 电力仪表及计量设备中的数据积累和历史记录。
5. 消费电子产品的用户偏好设置以及固件升级记录等场景。
其出色的可靠性和灵活性使得该芯片成为众多对数据安全要求较高场合的理想选择。
FM31LR64MB, FM31N64MTCG