时间：2025/7/5 3:57:46
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FM31N182J631EEG 是富士通（Fujitsu）推出的一款铁电随机存取存储器（FRAM），结合了非易失性和高速读写的特点。该器件适用于需要高耐久性、低功耗以及快速数据记录的应用场景，例如工业控制、医疗设备、计量仪表和数据日志记录等。其采用SOIC-8封装形式，工作电压范围为1.8V至3.6V，具有卓越的抗辐射性能和高达10万亿次的读写周期。
容量：256Kb（32K x 8）
接口：I2C
工作电压：1.8V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：SOIC-8
数据保留时间：超过10年
读写耐久性：10^12 次
通信速度：最高400kHz
引脚数：8
FM31N182J631EEG 的主要特点是其基于铁电技术的非易失性存储能力，允许设备在无需外部电源的情况下保存数据。
相比传统的EEPROM或闪存，FRAM提供了更高的写入速度和更低的功耗，并且消除了写入前擦除的需求。
该芯片支持宽电压范围操作，能够在多种应用环境中稳定运行。
此外，它具备极高的读写耐久性，非常适合频繁更新数据的场合。同时，其低延迟特性和简单的I2C接口使得集成变得非常方便。
这款FRAM存储器广泛应用于需要频繁写入和实时数据记录的场景中，例如智能仪表中的用电量记录、工业自动化系统中的状态监控数据存储、医疗设备中的患者数据追踪以及汽车电子中的事件数据记录。
由于其高可靠性和长寿命，也常被用于航空航天和军事领域中的关键任务数据存储解决方案。
MB85RC256V-MNE, CAT25AA256B-EZI
