时间：2025/11/3 19:19:43
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FM28V202A-TGTR是一款由Cypress Semiconductor（现为英飞凌科技Infineon Technologies的一部分）生产的256K × 8位的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写性能与非易失性存储器的数据保持能力，无需备用电池或超级电容即可实现无限次的数据写入和长期数据保存。FM28V202A采用先进的铁电技术，取代了传统SRAM加电池的方案或EEPROM/Flash存储器，在需要频繁写入、高可靠性及低功耗的应用中表现出色。该器件封装形式为小型化的48-ball BGA（球栅阵列），适合空间受限的嵌入式系统设计。工作电压范围为3.0V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的工业控制、通信设备、医疗仪器和智能仪表等应用领域。其无延迟写入特性意味着每次写操作都立即被存储，不存在写入周期等待时间，极大提升了系统响应速度和数据完整性保障能力。
型号：FM28V202A-TGTR
容量：256K × 8位（2 Mbit）
接口类型：并行异步接口
供电电压：3.0V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：48-ball BGA（6×8 mm）
访问时间：70ns / 90ns 可选
写入耐久性：10^14 次写周期
数据保持时间：超过10年（在最高温下）
功耗模式：低静态电流，典型值为10mA（活动状态），<100μA（待机状态）
非易失性：是，基于铁电存储单元
时序模式：CE#, OE#, WE# 控制信号支持标准SRAM时序
FM28V202A-TGTR的核心技术基于铁电存储原理（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM），它使用具有永久极化特性的铁电材料作为存储介质。当施加外部电场时，铁电晶体结构中的正负电荷中心发生偏移，形成两种稳定的极化状态，分别代表逻辑“0”和“1”。这种物理机制使得FM28V202A能够在断电后依然保持数据，且不像Flash或EEPROM那样依赖电子隧穿过程进行写入，从而避免了缓慢的编程时间和有限的擦写寿命问题。该芯片支持无限次的快速写入操作——理论上可达10^14次以上，远超传统非易失性存储器的百万次极限，特别适用于需持续记录传感器数据、日志信息或配置参数的场景。
另一个关键优势是零延迟写入能力。由于FRAM写入过程无需预擦除或页编程等待，每一个字节都可以像普通SRAM一样即时写入，消除了Flash常见的写入瓶颈。这不仅提高了系统的整体效率，也简化了软件设计，无需复杂的磨损均衡算法或缓冲管理机制。此外，FM28V202A具备出色的抗辐射和抗磁干扰能力，适合在电磁环境复杂或对数据安全性要求极高的工业现场使用。其低功耗特性进一步增强了能效表现，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。
该器件兼容标准异步SRAM接口协议，引脚布局和时序与传统SRAM高度一致，便于现有系统升级替换，无需重新设计硬件电路或修改控制器驱动程序。同时，内部集成了上电复位电路和电压监控功能，确保在电源不稳定的情况下仍能安全地完成最后一次写入操作，防止数据损坏。所有这些特性共同使FM28V202A-TGTR成为高可靠性、高性能非易失性存储解决方案的理想选择。
FM28V202A-TGTR广泛应用于对数据写入频率高、实时性强以及断电后数据必须可靠保存的工业和嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器），用于实时记录工艺参数、故障代码和运行日志；在智能电表、水表和气表等公用事业计量设备中，用于存储累计用量、事件记录和校准数据，确保计费准确性和审计追踪能力；在医疗设备如监护仪、输液泵和诊断仪器中，用于保存患者治疗记录、设备配置和报警历史，满足严格的法规合规要求。
此外，该芯片还适用于通信基础设施设备，例如基站控制器、路由器和交换机，用于缓存配置信息、固件更新日志和网络状态快照，提升系统恢复能力和运维效率。在车载电子系统中，可用于黑匣子记录仪、ADAS模块和车载网关，记录关键行车数据以支持事故分析和系统调试。由于其耐高温和抗干扰能力强，也可部署于恶劣环境下的远程监测终端、油气井下设备和轨道交通控制系统。总之，任何需要替代传统BPSRAM（电池供电SRAM）或频繁写入型EEPROM/Flash的应用，均可受益于FM28V202A-TGTR所提供的高性能、长寿命和免维护优势。
FM28V202B-TGTR
