时间：2025/7/23 19:35:06
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FM28V202A-TG 是由 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies）生产的一款非易失性SRAM（nvSRAM）芯片。该器件结合了高速SRAM的性能和非易失性存储器的特性，能够在断电时通过内置的自动存储电路（AutoStore）将数据保存到嵌入式Flash中，同时支持通过外部电源或电容进行数据存储。该芯片适用于需要高速存储和数据持久性的应用场景，例如工业控制、网络设备、医疗仪器和数据记录设备。
容量：256Kbit（32K x 8）
组织方式：32K x 8
电源电压：2.7V 至 3.6V
访问时间：55ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：44-TSOP
引脚数：44
数据保存电源电压：最小 2.0V
自动存储时间：典型值 15ms
数据恢复时间：典型值 10ms
FM28V202A-TG 的核心优势在于其 nvSRAM 技术，它结合了传统SRAM的读写速度与非易失性存储器的可靠性。该芯片在正常工作时表现得像高速SRAM，具有极短的访问时间和低延迟。当电源发生故障或系统触发存储操作时，芯片会自动将SRAM中的数据保存到内部的非易失性存储单元中，确保关键数据不会丢失。此过程由内部电路自动完成，无需外部控制器干预。此外，FM28V202A-TG 支持硬件触发的手动存储操作，用户也可以通过电容或电池供电来延长数据保存时间。该芯片在数据恢复时同样具备快速响应能力，确保系统重启时能迅速恢复关键信息。由于其高可靠性和高速特性，FM28V202A-TG 常用于需要数据持久性和实时响应的应用场景。
FM28V202A-TG 主要应用于对数据完整性和实时性能要求较高的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统中的实时数据缓存、网络设备中的会话状态存储、医疗仪器中的患者数据保存、智能电表中的计量数据记录，以及航空航天和汽车电子中关键数据的暂存与恢复。其高速访问能力和非易失性数据存储特性使其成为替代传统电池供电SRAM和EEPROM的理想选择。
FM28V202A-TE1, FM28V202A-TE2, FM28V202B-TG, CY14B102LA-BA55SXI, CY14B102KA-ZS45XI
