时间：2025/8/8 22:43:37
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FMV09N65E（有时标记为09N65E）是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，专为高电压和高电流应用场景设计。该器件采用先进的平面工艺技术，具备优良的导通特性和热稳定性，适用于电源转换、电机控制、工业自动化和开关电源等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：650V
最大漏极电流（Id）：9A
导通电阻（Rds(on)）：约0.75Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功率耗散（Pd）：50W
封装形式：TO-220F或类似的表面贴装封装
FMV09N65E具有低导通电阻的特性，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的设计使其能够在高电压下稳定运行，同时保持良好的热性能，避免过热损坏。此外，FMV09N65E具备高抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和电流应力，从而提高系统的可靠性。
其栅极驱动特性较为简单，可以轻松与标准逻辑电路配合使用，适用于各种高频开关应用。在高温环境下，FMV09N65E依然能够保持稳定的电气性能，这对于需要长期运行的工业和电力电子设备来说尤为重要。
该MOSFET的封装设计提供了良好的散热能力，同时兼容常见的PCB安装方式，适用于自动化生产线和大规模应用。其高耐压特性使得该器件能够在多种电源管理系统中使用，包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。
FMV09N65E广泛应用于电源管理领域，例如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器和UPS系统。它也常用于电机控制、电灯镇流器以及工业自动化设备中的高压开关电路。此外，该器件适用于需要高电压耐受能力和中等电流处理能力的各类电子设备中。
FQP9N65C, IRF840, FDPF09N65ES
