时间：2025/11/3 19:38:35
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FM28V020-T28G是一款由Cypress Semiconductor（现属于Infineon Technologies）生产的256 K × 8位或128 K × 16位的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。该器件采用先进的铁电存储技术，结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电后依然保存数据，且无需电池支持。该芯片的存储容量为2 Mbit（256 KB），组织形式可配置为256K × 8或128K × 16，适用于需要频繁写入、高耐久性和快速数据保存的应用场景。其封装形式为44引脚TSOP II，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在恶劣环境下稳定运行。
FRAM技术的核心在于使用铁电晶体材料作为存储介质，其极化状态可在无电源情况下长期保持，从而实现非易失性。与传统的EEPROM或Flash存储器相比，FM28V020具有几乎无限的写入耐久性（高达10^14次写入周期），远超EEPROM的10万次和Flash的10万次擦写寿命。此外，该器件无需写入延迟，所有写入操作均在单个总线周期内完成，避免了传统非易失性存储器常见的编程等待时间，极大提升了系统效率。该芯片兼容标准SRAM接口，便于替换现有设计中的SRAM或EEPROM，降低系统设计复杂度。
制造商：Infineon Technologies (原Cypress)
产品系列：F-RAM
存储容量：2 Mbit
存储结构：256K × 8 / 128K × 16
接口类型：并行异步
供电电压：2.7V ~ 3.6V
工作电流：典型值 15 mA（读取），20 mA（写入）
待机电流：典型值 10 μA
访问时间：最大 28 ns
写入周期时间：1个总线周期（无延迟）
耐久性：10^14 次写入/擦除周期
数据保持时间：10年 @ +85°C，95年 @ +65°C
封装形式：44-pin TSOP Type II
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
FM28V020-T28G的核心优势之一是其卓越的写入耐久性，达到10^14次写入周期，远远超过传统EEPROM和Flash存储器的10万次极限。这意味着在需要频繁记录数据的应用中，如工业传感器、数据采集系统或智能仪表，该芯片不会因写入次数过多而失效，显著延长了设备的使用寿命并降低了维护成本。这种高耐久性源于FRAM技术的工作原理——通过铁电材料的极化方向来存储数据，而非依赖电荷注入或隧穿效应，因此不会造成氧化层磨损。
其次，该器件具备真正的“即时写入”能力，所有写入操作在一个总线周期内完成，无需像Flash或EEPROM那样进行页编程或扇区擦除，也不存在写入延迟。这使得系统可以在不牺牲性能的前提下实时保存关键数据，例如在突然断电前快速保存运行状态或故障日志，极大地提升了系统的可靠性和数据完整性。
此外，FM28V020-T28G具有低功耗特性，在读写模式下仅消耗约15~20mA电流，而在待机状态下可低至10μA，非常适合对能耗敏感的应用，如便携式医疗设备、远程监控终端或电池供电系统。其并行异步接口与标准SRAM完全兼容，允许直接替换现有设计中的SRAM芯片，无需更改控制器逻辑或增加额外的驱动程序，简化了硬件升级过程。
该芯片还具备出色的数据保持能力，在+85°C高温环境下可保持数据长达10年，在常温下甚至可达95年以上，确保长期稳定性。同时，它不受紫外线、电磁干扰等环境因素影响，抗辐射能力强，适用于工业控制、汽车电子和航空航天等严苛应用场景。内置的数据保护机制防止意外写入，支持硬件写保护功能，进一步增强了数据安全性。
FM28V020-T28G广泛应用于需要高速、高耐久性和非易失性数据存储的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点，用于实时记录工艺参数、设备状态和故障信息，即使在频繁启停或突发断电情况下也能保证数据不丢失。
在智能仪表领域，如电表、水表、气表和热量表中，该芯片可用于存储累计用量、校准数据和用户设置，因其高写入耐久性，能够承受每日多次的数据更新而不损坏，满足长期运行需求。
在医疗设备方面，便携式监护仪、血糖仪和输液泵等设备利用其快速写入和低功耗特性，在电池供电条件下实现高效数据记录，同时确保患者数据的安全性和连续性。
汽车电子系统中，该芯片可用于车身控制模块、车载诊断系统（OBD）和事件记录器（黑匣子），用于存储行驶数据、故障码和安全事件，其宽温特性和抗干扰能力保障了在复杂车载环境下的稳定运行。
此外，在通信基础设施、POS终端、打印机和工业HMI（人机界面）设备中，FM28V020-T28G也被用作配置存储、日志缓存或临时数据缓冲区，替代传统SRAM加备用电池的设计方案，减少系统复杂性和故障点。
CY14V256L-FS45SXI
