存储容量：2 Mbit (256 K × 8)
　　接口类型：SPI (支持模式0和模式3)
　　最大时钟频率：40 MHz
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　待机电流：10 μA（典型值）
　　工作电流：5 mA（典型值，40 MHz）
　　写入周期时间：无延迟（字节写入即时完成）

FM25V20A-DGQ的核心技术是基于铁电电容的非易失性存储单元，这种材料在断电后仍能保持极化状态，从而实现数据的永久保存。与传统的EEPROM或闪存不同，FRAM不需要擦除操作，也不受写入次数限制，其写入耐久性高达10^14次，远超EEPROM的10^6次和闪存的10^5次。这意味着在需要频繁更新数据的应用中，例如实时传感器日志记录、交易记录存储或配置参数更新，FM25V20A-DGQ可以显著延长系统寿命并减少维护成本。
　　该芯片支持标准SPI接口，兼容性强，可轻松集成到现有微控制器系统中。其通信协议包括WREN、WRDI、RDSR、WRSR、READ和WRITE等标准指令集，并具备状态寄存器以监控写入使能锁存和写入进行状态。由于没有写入延迟，每次字节写入操作在最后一个时钟脉冲结束后立即完成，极大提升了系统响应速度。相比之下，传统EEPROM通常需要数毫秒的写入等待时间，在此期间无法执行其他操作，而FM25V20A-DGQ则避免了这一瓶颈。
　　在功耗方面，FM25V20A-DGQ表现出色。其工作电流仅为5 mA（在40 MHz下），待机电流低至10 μA，适合电池供电或低功耗应用场景。同时，由于无需升压电路来完成写入操作（如闪存在写入时需要高压编程），进一步降低了系统的整体能耗。此外，该器件具有出色的抗辐射和抗磁干扰能力，适用于工业和汽车等电磁环境复杂的场合。
　　FM25V20A-DGQ还具备出色的数据保持能力，即使在极端温度条件下也能确保数据保存长达10年以上。出厂时已预编程唯一ID的可能性较低，但可通过用户区域自定义标识信息。所有写入操作均无需额外的数据保护时序控制，简化了软件开发流程。总体而言，该芯片在性能、可靠性与易用性之间实现了优异平衡，是高端嵌入式系统中替代传统非易失性存储器的理想选择。

FM25V20A-DGQ因其高速写入、高耐久性和非易失性特点，被广泛应用于多个对数据完整性要求较高的领域。在工业控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于实时记录工艺参数、报警事件和运行日志，确保在突然断电时关键数据不会丢失。
　　在智能电表、水表和气表等公用事业计量设备中，FM25V20A-DGQ用于存储累计用量、费率信息和抄表记录。由于这些设备通常依靠电池或能量采集供电，且需每隔几秒就保存一次数据，传统EEPROM容易因写入寿命不足而失效，而FRAM的超高耐久性完美解决了这一问题。
　　医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和输液泵也采用该芯片来存储患者数据、设备校准信息和操作日志。其快速写入能力确保在紧急关机时仍能完整保存最新测量结果，保障医疗安全。
　　在汽车电子领域，FM25V20A-DGQ可用于车载数据记录器（黑匣子）、ECU配置存储和胎压监测系统，能够在宽温环境下稳定工作，并承受车辆启动时的电压波动。
　　此外，在POS终端、打印机、网络通信模块和物联网网关中，该芯片用于缓存配置信息、交易流水和固件更新日志，提升系统响应速度和可靠性。其SPI接口易于与主流MCU（如STM32、NXP Kinetis、TI MSP430等）对接，缩短产品开发周期。

CY15B104QSXI-40SXI
　　MB85RS2MT
　　FM25V05A-DG
　　FM25L04A-DGQ
　　SST25VF040B-50-3C-E