时间：2025/11/3 23:55:37
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FM25V20-GTR是一款由Cypress Semiconductor（现属于Infineon Technologies）生产的2兆位（256K × 8）串行F-RAM（铁电随机存取存储器）芯片。该器件采用先进的铁电技术，结合了传统RAM的高速读写性能和非易失性存储器的数据保持能力，无需电池即可在断电后长期保存数据。与传统的EEPROM或闪存不同，F-RAM不需要写入延迟时间，支持几乎无限次的读写操作，极大地提升了系统的可靠性和耐久性。FM25V20-GTR工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于多种工业、消费类及嵌入式应用场景。该器件采用标准的SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，兼容性强，能够轻松集成到现有系统中。其封装形式为小型8引脚TDFN（Thin Dual Flat No-lead），适合对空间有严格要求的设计应用。由于其高可靠性、低功耗和卓越的写入耐久性，FM25V20-GTR广泛用于需要频繁数据记录和快速写入响应的场合，如智能仪表、医疗设备、工业控制系统和汽车电子等。
容量：2 Mbit (256K × 8)
接口类型：SPI (支持模式0和模式3)
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-TDFN
时钟频率：最高支持40 MHz
写入寿命：10^14 次读/写周期
数据保持时间：10年 @ +85°C，95年 @ +65°C
待机电流：< 10 μA
运行电流：< 2 mA
写保护功能：硬件WP引脚和软件写保护
组织结构：262,144 字节，按页编程（最大32字节/页）
FM25V20-GTR的核心优势在于其基于铁电技术的非易失性存储机制，这种材料在电场作用下可实现极快的极化翻转，从而完成数据的写入过程，且在整个过程中不依赖电荷存储，因此不存在传统浮栅技术中的磨损问题。这使得该芯片具备高达10^14次的读写耐久性，远超普通EEPROM的10^5~10^6次和闪存的10^4~10^5次，特别适用于需要高频数据采集和日志记录的应用场景。此外，由于F-RAM无需像EEPROM那样进行擦除-写入循环，也没有写入延迟（典型值为150ns），所有写操作均可即时完成，极大提升了系统响应速度和效率。这一特性对于实时性要求高的系统至关重要，例如在电力监测设备中，当发生断电时，系统可以在电源跌落前的毫秒级时间内将关键状态信息迅速保存至FM25V20-GTR中，确保数据完整性。同时，该器件的工作功耗极低，在主动写入时电流小于2mA，待机状态下更是低于10μA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。在通信方面，它完全兼容标准SPI接口，支持最高40MHz的时钟速率，能与绝大多数微控制器无缝对接。为了增强数据安全性，芯片集成了硬件写保护引脚（WP）以及通过指令实现的软件写保护机制，防止误操作导致的数据覆盖。另外，其数据保持能力在+85°C环境下可达10年以上，在常温下甚至可维持超过95年，保证了长期使用的可靠性。整个器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗辐射和抗干扰性能，适用于严苛的工业和汽车环境。
FM25V20-GTR因其独特的高性能和高可靠性，被广泛应用于多个领域。在工业自动化中，常用于PLC控制器、传感器节点和数据采集系统，用于实时记录工艺参数、故障日志和配置信息；在智能电表、水表和气表中，作为关键数据存储单元，能够在频繁抄表和断电切换时确保计量数据不丢失；在医疗设备如监护仪、血糖仪和便携式诊断工具中，用于保存患者历史数据和设备校准信息，保障数据安全合规；在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载记录仪和胎压监测系统，满足AEC-Q100可靠性标准的部分要求；此外，在通信基站、网络路由器和POS终端中，也用于存储固件配置、操作日志和安全密钥。由于其超长写入寿命和快速写入能力，尤其适合替代传统EEPROM和伪静态RAM（Battery-Backed SRAM）方案，避免了电池维护和写入瓶颈问题，提升整体系统稳定性与维护便利性。随着物联网和边缘计算的发展，FM25V20-GTR在需要本地缓存大量动态数据的边缘节点中展现出越来越重要的价值。
CY15B108QN-GTR
CY15B104QN-GTR
MB85RS2MTA
