存储容量：2 Mbit (256 K × 8)
　　接口类型：SPI (支持模式0和3)
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-TSSOP (PG)
　　时钟频率：最高支持40 MHz
　　写耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：超过10年（在+85°C下）
　　待机电流：1 μA（典型值）
　　工作电流：5 mA（典型值，40 MHz）
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　存储架构：256 K × 8 字节，分页管理（每页256字节）

FM25V02-PG的核心优势在于其采用的铁电存储技术（Ferroelectric Random Access Memory, F-RAM），这种技术不同于传统的基于浮栅结构的EEPROM或NAND/NOR Flash，而是利用铁电晶体材料的极化状态来存储数据。当施加电场时，铁电材料可以形成两种稳定的极化方向，分别代表逻辑“0”和“1”，并且即使在电源关闭后仍能保持这种状态，从而实现非易失性存储。最关键的是，F-RAM的写入过程是破坏性读取与立即重写的结合，不需要像Flash那样进行耗时的擦除操作，因此支持真正的字节级随机写入，且没有写入延迟。这一特性使得FM25V02-PG在需要高频数据采集和实时写入的应用中表现出色，例如工业PLC控制器中的运行日志记录、智能电表中的用电数据存储、医疗设备中的患者设置与校准信息保存等场景。
　　该器件具有极高的写入耐久性，可达10^14次读写循环，远超普通EEPROM的10^6次和Flash的10^5次，这意味着在大多数应用生命周期内无需担心存储单元磨损问题，显著提高了系统的可靠性并降低了维护成本。同时，其SPI接口兼容性强，支持标准的指令集，包括读、写、写使能、写禁止、读状态寄存器等命令，便于与各种微控制器集成。内置的状态寄存器可提供写入就绪标志（WIP位），方便主机判断当前是否可以发起新的写操作。此外，FM25V02-PG具备低功耗特性，在待机模式下的电流仅为1μA，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。
　　为了增强数据安全性，该芯片提供了硬件写保护引脚（WP），当拉低时可锁定整个存储阵列，防止意外写入或修改；同时还支持软件写保护机制。器件还具备出色的抗辐射和抗电磁干扰能力，适合在恶劣工业环境中使用。其数据保持能力在+85°C高温环境下仍可维持超过10年，确保长期稳定性。综上所述，FM25V02-PG凭借其高速、高耐久、低功耗和非易失性的综合优势，成为替代传统串行EEPROM和Flash的理想选择。

FM25V02-PG广泛应用于多个对数据写入频率、可靠性和持久性要求较高的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于实时记录设备运行参数、故障代码和工艺数据，因其无需擦除即可直接写入的特性，避免了因写延迟导致的数据丢失风险。在智能仪表领域，如智能电表、水表和气表，FM25V02-PG被用来存储用户用量数据、计费信息和事件日志，即使在突然断电的情况下也能确保数据完整保存，满足严格的计量法规要求。在医疗设备中，例如病人监护仪、血糖仪和便携式诊断设备，它用于保存患者配置、校准参数和使用历史，保障设备在重启后能快速恢复工作状态。
　　汽车电子系统也是其重要应用方向之一，可用于车身控制模块、车载信息记录器（Event Data Recorder）或高级驾驶辅助系统（ADAS）中，记录车辆状态、驾驶行为和系统事件，支持长时间、高频次的数据写入需求。在消费类电子产品中，如高端打印机、POS终端和智能家居网关，FM25V02-PG可用于存储固件配置、用户偏好设置和操作日志，提升用户体验和系统响应速度。此外，在航空航天与军事装备中，由于其优异的温度适应性、抗辐射能力和长数据保持期，也被用于关键数据的临时缓存与备份。得益于其SPI接口的通用性和小尺寸封装，FM25V02-PG易于集成到紧凑型电路板设计中，适用于空间受限但性能要求高的嵌入式系统。

FM25V05-G