型号：UT3P06G
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：140A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：480A
　　导通电阻(Rds(on))：2.7mΩ @ Vgs=10V, Id=70A
　　导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ @ Vgs=4.5V, Id=70A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：10500pF @ Vds=30V
　　输出电容(Coss)：2900pF @ Vds=30V
　　反向恢复时间(Trr)：30ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

UT3P06G采用先进的沟槽型场效应晶体管结构设计，具有极低的导通电阻Rds(on)，在典型工作条件下（Vgs=10V）可低至2.7mΩ，这显著降低了器件在大电流通过时的功率损耗，提高了系统的整体能效。该特性使其特别适用于高电流密度的应用场景，如大功率DC-DC变换器、同步整流电路以及电池管理系统中的主开关元件。此外，低Rds(on)还减少了发热，有助于简化散热设计，降低系统成本。
　　该器件具备出色的开关性能，得益于其优化的栅极结构和较低的寄生电容（Ciss约为10500pF），能够实现快速的开启与关断响应，从而减少开关过程中的交越损耗，提升高频工作的效率。这对于现代开关电源中追求更高频率以缩小磁性元件体积的设计趋势尤为重要。
　　UT3P06G拥有较高的电流承载能力，在25°C环境下可持续承受高达140A的漏极电流，并支持峰值电流达480A的短时脉冲操作，展现出卓越的动态负载适应能力。同时，其最大工作结温可达+175°C，确保了在高温环境下仍能稳定运行，增强了系统在恶劣工况下的可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载突变情况下吸收一定的能量而不致损坏，提升了系统的鲁棒性。此外，其±20V的栅源电压耐受能力为驱动电路设计提供了更大的安全裕度，防止因栅极过压导致的器件失效。
　　UT3P06G采用TO-252（DPAK）封装，具有优良的热传导性能，可通过PCB上的铜箔或外加散热片有效散热，适用于自动化贴片生产工艺，有利于提高生产效率和产品一致性。综合来看，UT3P06G是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、功率密度和成本敏感的多种电力电子应用领域。

UT3P06G广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其是在需要高效能量转换和大电流处理能力的场合。常见应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、同步降压变换器（Buck Converter）、升压变换器（Boost Converter）以及双向DC-DC转换器，尤其适用于服务器电源、通信电源模块和嵌入式电源系统等对效率要求较高的场景。
　　在电机驱动领域，UT3P06G可用于直流无刷电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有效降低功耗并提升驱动效率，适用于电动工具、家用电器、工业自动化设备等。
　　该器件也常用于电池供电系统，例如电动自行车、便携式储能设备和UPS不间断电源中的充放电控制回路，承担主功率通断功能。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保在长时间运行下仍保持可靠性能。
　　此外，UT3P06G还可用于LED驱动电源、热插拔控制器、逆变器以及各类电源保护电路中，作为主开关或旁路开关使用。其符合RoHS标准的环保特性也使其适用于消费类电子产品和绿色能源设备。总体而言，UT3P06G凭借其优异的电气性能和坚固的封装设计，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

SiS626ADN,TSG3606,AOZ5236NQI-06