存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI (四线制：SI, SO, SCK, CS)
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　时钟频率：最高支持40 MHz
　　写耐久性：10^14 次写周期
　　数据保持时间：10年 @ +85°C；95年 @ +65°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-TDFN (3mm × 3mm)
　　写入延迟：无（即时写入）
　　待机电流：1 μA 典型值
　　工作电流：5 mA @ 40 MHz
　　写保护机制：硬件WP引脚 + 上电/掉电自动保护

FM25V01-GTR的核心技术是基于铁电存储原理的FRAM，这种材料使用锆钛酸铅（PZT）作为存储介质，在电场作用下可实现快速极化状态切换，从而完成数据的写入与读取。与传统的EEPROM或闪存不同，FRAM在写入时不依赖于电子隧穿过程，因此不存在写入寿命限制的问题。FM25V01-GTR具备高达10^14次的写耐久性，远超普通EEPROM的10万次和闪存的1万次水平，使得它可以在需要高频写入的应用中长期稳定运行而不会出现存储单元老化失效的情况。
　　另一个显著优势是其“即时写入”能力。传统非易失性存储器通常需要毫秒级的写入等待时间，期间无法响应新的命令，影响系统效率。而FM25V01-GTR在每次写操作完成后立即生效，无需额外的写等待周期，极大提高了系统的实时响应能力和吞吐量。这对于诸如数据日志记录、事件捕获、配置更新等应用场景尤为重要，能有效避免因写延迟导致的数据丢失风险。
　　低功耗特性也是该芯片的一大亮点。在正常读写操作下，工作电流仅为5mA左右，而在待机模式下可低至1μA，非常适配电池供电或能量采集系统。同时，由于写入速度快且无需高电压编程，整体能耗远低于同类产品，有助于延长设备续航时间并降低散热需求。
　　此外，FM25V01-GTR集成了多重数据保护机制。除了通过软件指令控制写使能/禁止外，还提供一个硬件写保护引脚（WP），当拉低时可锁定整个存储阵列，防止误操作。结合上电/掉电时的自动保护逻辑，确保在电源不稳定或突然断电的情况下仍能维持数据完整性。这些特性使其成为工业自动化、智能电表、医疗监测等高可靠性领域中的理想选择。
　　最后，该芯片符合RoHS环保标准，并具备良好的抗辐射和抗干扰性能，能够在恶劣电磁环境下稳定工作。SPI接口的广泛兼容性也简化了与各类微控制器的集成难度，缩短开发周期。总体而言，FM25V01-GTR以其卓越的耐久性、速度、功耗和可靠性，在高性能非易失性存储市场中占据重要地位。

FM25V01-GTR因其独特的非易失性、高速写入和高耐久性，被广泛应用于多个对数据记录和系统可靠性要求较高的领域。在智能计量设备中，如智能电表、水表和燃气表，常用于保存用户的用量数据、计费信息和操作日志。由于这些设备需每隔几秒甚至更短时间记录一次数据，若使用传统EEPROM会迅速达到寿命极限，而FM25V01-GTR则可以轻松应对每秒数千次的写操作，保障十年以上的可靠运行。
　　在工业控制系统中，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于存储配置参数、故障代码、校准数据和运行日志。尤其是在断电重启后需要快速恢复现场状态的场合，FM25V01-GTR无需等待写完成即可立即断电，确保关键信息不丢失，提升了系统的容错能力。
　　医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪和输液泵也采用此芯片来记录患者数据、设备使用历史和报警事件。这类应用对数据安全性和设备可靠性要求极高，任何数据损坏都可能带来严重后果。FM25V01-GTR的高数据保持能力和抗干扰性能正好满足这一需求。
　　在汽车电子领域，它可用于车载记录仪、ECU（电子控制单元）的临时配置存储以及新能源汽车的BMS（电池管理系统）中，记录电池充放电循环、温度变化和故障码等信息。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）确保在极端气候条件下依然稳定工作。
　　此外，物联网终端、无线传感器网络和边缘计算设备也越来越多地采用FM25V01-GTR作为本地缓存存储器，用于暂存采集到的数据，直到上传至云端。由于许多IoT设备依赖电池或能量采集供电，低功耗和无需备用电源的设计优势尤为突出。综上所述，FM25V01-GTR适用于所有需要频繁写入、快速响应、长期数据保留和高可靠性的嵌入式系统场景。

CY15B104QSN-GTR
　　MB85RS1MT
　　FM25V02A-GTR
　　MR49V128A