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FM25L16 发布时间 时间:2025/11/3 10:17:38 查看 阅读:16

FM25L16是一款由Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies的一部分)生产的16兆位(Mb)串行F-RAM(铁电随机存取存储器)芯片。该器件采用先进的铁电存储技术,结合了传统RAM的高速读写特性和非易失性存储器的数据保持能力。与常见的基于EEPROM或闪存的非易失性存储器不同,F-RAM不需要写入延迟周期,支持几乎无限次的读写操作,且功耗显著更低。FM25L16通过标准的SPI(Serial Peripheral Interface)四线接口进行通信,工作电压范围为2.7V至3.6V,适用于需要频繁写入、高耐久性和快速数据保存的应用场景。其封装形式通常为8引脚SOIC或TSSOP,便于在各种嵌入式系统中集成。由于其卓越的写入性能和高可靠性,FM25L16被广泛应用于工业控制、医疗设备、智能仪表、汽车电子和消费类电子产品中。

参数

容量:16 Mbit (2 MB)
  组织结构:2,097,152 x 8 位
  接口类型:SPI 四线(SCK, SI, SO, CS)
  时钟频率:最高支持20 MHz
  工作电压:2.7 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  写入耐久性:10^14 次读/写周期
  数据保持时间:10 年(在+85°C下)
  待机电流:典型值 10 μA
  工作电流:典型值 5 mA(在 1 MHz SPI 速率下)
  封装类型:8-pin SOIC 或 TSSOP

特性

FM25L16的核心技术是基于铁电电容的非易失性存储单元,这种材料在施加电场时能够快速切换极化状态,并在断电后保持该状态,从而实现数据的非易失性存储。
  与传统的EEPROM或Flash存储器相比,F-RAM无需擦除操作即可直接改写任意字节,极大提升了写入效率,并避免了因块擦除导致的延迟问题。此外,由于没有写入等待时间,FM25L16可以在每个总线周期完成一次写入操作,真正实现了“即时写入”功能,这对于需要实时记录传感器数据或事件日志的应用至关重要。
  该器件具备极高的写入耐久性,可支持高达10^14次的读写周期,远超EEPROM的10^5~10^6次和Flash的10^4~10^5次,使其适用于高频率数据采集系统,如电力监测、工业PLC和黑匣子记录仪等场景。
  在功耗方面,FM25L16在主动读写时消耗的电流远低于传统非易失性存储器,同时其待机功耗也极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
  FM25L16还具备出色的抗辐射能力和数据保持稳定性,在极端温度环境下仍能可靠运行,满足工业级和汽车级应用的需求。它支持标准SPI模式0和模式3,兼容大多数微控制器的SPI接口,软件驱动简单,移植性强。内置写保护机制,可通过WP引脚或状态寄存器进行硬件/软件写保护,防止误操作导致数据损坏。

应用

FM25L16广泛应用于对数据写入速度、耐久性和可靠性要求较高的嵌入式系统中。
  在工业自动化领域,常用于PLC控制器中的程序参数存储、I/O状态记录以及故障日志保存,因其无需延迟即可随时写入,确保关键信息不会因突发断电而丢失。
  在智能电表、水表和燃气表中,FM25L16用于存储计量数据、用户设置和抄表信息,其高耐久性可应对每日多次的数据更新需求,避免传统EEPROM因寿命不足导致的早期失效。
  在医疗设备中,如心电图机、血糖仪和便携式监护仪,FM25L16可用于存储患者历史数据和设备校准参数,保障数据安全性和完整性。
  汽车电子中,该芯片可用于车载记录仪、ECU配置存储和胎压监测系统的数据缓存,适应宽温环境和振动条件下的稳定运行。
  此外,在POS终端、打印机、条码扫描器和安防监控设备中,FM25L16也发挥着重要作用,支持快速配置保存和交易日志记录。
  由于其SPI接口简洁、易于集成,FM25L16也成为许多物联网节点和边缘计算设备的理想选择,尤其适合需要频繁本地数据暂存但又希望保持低功耗的设计方案。

替代型号

CY15B108QN
  FM25V05
  FM25H20
  MB85RS2MT

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