FM25L16-G 时间：2025/12/29 13:11:11 阅读：15

FM25L16-G是一款由Cypress Semiconductor（原Fujitsu Semiconductor）制造的16K位铁电存储器（FRAM）。它采用先进的铁电工艺技术，提供高速读写性能和极高的耐久性。与传统的EEPROM或闪存相比，FM25L16-G在写入速度、功耗和擦写寿命方面具有显著优势，适用于需要频繁写入数据的应用场景。

参数

类型：FRAM（铁电存储器）
　　容量：16Kbit（2K x 8）
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 SOIC
　　最大时钟频率：20MHz
　　写入耐久性：10^14 次/位
　　数据保留时间：10年（无需电源）
　　封装尺寸：150mil

特性

FM25L16-G FRAM芯片具有多项显著的性能优势。
　　首先，其写入速度非常快，几乎与读取操作一样快，并且无需写入等待时间，这使得它在需要频繁写入数据的应用中表现优异。此外，它具备几乎无限的写入耐久性（达10^14次/位），远远优于传统的EEPROM或闪存，后者的写入寿命通常限制在10^5至10^6次之间。
　　其次，FM25L16-G的功耗极低，在写入过程中消耗的能量远低于闪存或EEPROM。这种低功耗特性使其适用于电池供电设备或需要节能设计的系统。
　　第三，由于FRAM是非易失性存储器，因此即使在断电情况下，数据也能保持不变，数据保持时间超过10年。此外，它支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种环境条件下稳定工作。
　　最后，该芯片采用标准的SPI接口，易于集成到现有系统中，并且兼容广泛的微控制器和嵌入式平台。

应用

FM25L16-G FRAM广泛应用于需要高耐久性、高速写入和低功耗的数据存储场景。常见应用包括工业控制系统、智能电表、医疗设备、数据记录器、安防系统以及汽车电子模块。由于其卓越的可靠性，它也常用于关键数据存储、日志记录和配置存储等任务。此外，在物联网（IoT）设备中，FM25L16-G可用于持久化传感器数据，避免频繁更换存储介质或因写入寿命限制而导致的系统故障。