PMPB55XNEA 时间：2025/9/14 16:33:01 阅读：15

PMPB55XNEA是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的技术设计，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于多种高功率应用场景。PMPB55XNEA的封装形式为PowerFLAT 5x6，这种封装设计有助于提高散热效率并节省PCB空间。该MOSFET常用于电源管理和电机控制、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A（在Tamb=25°C时）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大15.8mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为28nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PMPB55XNEA MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻显著降低，从而提高了器件的效率和性能。其低RDS(on)特性不仅减少了导通状态下的功率损耗，还有助于降低系统温度，延长设备使用寿命。此外，该MOSFET的高栅极电荷（Qg）值确保了在高频率开关应用中的稳定性和可靠性，减少了开关损耗。
　　该器件的PowerFLAT 5x6封装具有优异的热管理性能，能够在高电流负载条件下保持较低的温升。这对于需要高功率密度和紧凑设计的应用尤为重要。PMPB55XNEA还具备高雪崩能量耐受能力，使其在面临突发电压冲击时仍能保持稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　为了确保在恶劣环境中的稳定运行，PMPB55XNEA的栅极氧化层设计非常坚固，能够承受高达±20V的栅源电压，防止因过电压而造成的损坏。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使得该MOSFET可以在极端温度条件下正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　另外，PMPB55XNEA的结构设计也考虑了环保和可持续性，符合RoHS指令和REACH法规，不含有害物质，支持绿色电子产品的开发。这使得该器件在消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域都有广泛的应用前景。

应用

PMPB55XNEA主要用于高功率密度和高效能要求的应用场景。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。在汽车电子领域，该MOSFET可应用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载娱乐系统等。此外，它还适用于各种电源管理模块和高效率电源适配器的设计。