存储容量：256 Kbit
　　接口类型：I2C
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 TSSOP
　　最大时钟频率：1 MHz
　　写入耐久性：10^14 次/位
　　数据保存时间：10年（无需电池）
　　封装尺寸：4.40 mm x 3.00 mm x 1.00 mm

FM25C020ULZM8X的核心技术基于铁电存储器（FRAM），这种技术不同于传统的EEPROM和闪存。FRAM使用铁电晶体结构作为存储介质，能够在断电时保持数据完整，而无需像闪存那样进行块擦除操作，从而实现更快的写入速度和更高的写入耐久性。该芯片的写入耐久性高达10^14次/位，远高于传统EEPROM的10^6次左右，这意味着它可以承受几乎无限次的写入操作而不会出现存储单元损坏的情况。
　　此外，FM25C020ULZM8X具备非常低的功耗特性，适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。其I2C接口支持标准、快速和高速模式，最高时钟频率可达1MHz，确保了与主控制器之间的高速数据传输能力。该器件还内置了写保护功能，可以通过硬件引脚配置防止意外的数据写入，提高了系统的数据安全性。
　　FM25C020ULZM8X的工作电压范围为2.7V至3.6V，适应性强，能够在广泛的电源条件下稳定运行。其TSSOP封装形式体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。由于FRAM本身具备非易失性，FM25C020ULZM8X不需要额外的电源管理电路或超级电容来维持数据保存，简化了系统设计并提高了可靠性。

FM25C020ULZM8X广泛应用于需要高写入耐久性、快速写入速度和非易失性存储的场景。例如，它常用于工业自动化系统中的数据采集和存储、智能电表中的计费数据记录、医疗设备中的患者数据保存以及POS终端中的交易日志记录。在这些应用中，设备可能需要频繁地写入关键数据，而传统的EEPROM或闪存由于写入寿命限制和较慢的写入速度难以满足要求。此外，FM25C020ULZM8X还适用于需要实时数据存储的物联网（IoT）设备，如传感器节点和远程监控系统。由于其低功耗特性，该芯片也适合用于手持设备和电池供电设备中。

FM25C020B-GTR, FM25C020A-GTR, FM25C020ULB-GTR