时间：2025/6/9 14:18:38
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FN03N0R5A250PLG 是一款高性能的场效应晶体管（MOSFET），主要应用于功率转换和电源管理领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而提高效率并降低能耗。
该器件广泛适用于各类工业及消费电子设备中的 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及负载开关等场景。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
持续漏极电流（Id）：100 A
导通电阻（Rds(on)）：0.4 mΩ
栅极电荷（Qg）：70 nC
总电容（Ciss）：3250 pF
功耗（Ptot）：250 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FN03N0R5A250PLG 具有出色的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 100A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷（Qg），可实现高频操作。
4. 小巧的封装设计，便于在紧凑型电路板上安装。
5. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适合各种恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际环保法规要求。
该器件可应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
5. 数据中心服务器和其他高能效需求的电力传输系统。
6. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
FN03N0R5A250TSG, IRF3205, SI447DY
