FN03N0R5A250PLG 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),主要应用于功率转换和电源管理领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而提高效率并降低能耗。
该器件广泛适用于各类工业及消费电子设备中的 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及负载开关等场景。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
持续漏极电流(Id):100 A
导通电阻(Rds(on)):0.4 mΩ
栅极电荷(Qg):70 nC
总电容(Ciss):3250 pF
功耗(Ptot):250 W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
FN03N0R5A250PLG 具有出色的电气性能和可靠性,其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 100A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
3. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷(Qg),可实现高频操作。
4. 小巧的封装设计,便于在紧凑型电路板上安装。
5. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适合各种恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际环保法规要求。
该器件可应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器。
5. 数据中心服务器和其他高能效需求的电力传输系统。
6. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
FN03N0R5A250TSG, IRF3205, SI447DY