容量：64 Kbit (8192 × 8)
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　通信接口：I2C，最高支持1 MHz（快速模式+）
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：10年 @ +85°C，超过95年 @ +65°C
　　待机电流：10 μA（典型值）
　　工作电流：250 μA（典型值，1 MHz写入）
　　封装类型：8-SOIC, 8-TSSOP
　　写入周期时间：无延迟（即时写入）
　　页面大小：32字节（最大连续写入长度）

FM24CL64的核心技术是其采用的铁电存储单元（Ferroelectric Random Access Memory），这使其在性能上显著优于传统EEPROM和闪存。F-RAM的基本存储单元由一个铁电电容器和一个晶体管构成，类似于DRAM结构，但其电容材料具有非易失性极化特性。当施加电场时，铁电材料可在两个稳定极化状态之间切换，分别代表逻辑“0”和“1”。这种物理机制不依赖于电荷注入或隧穿效应，因此不存在浮栅氧化层老化问题，从根本上解决了传统非易失性存储器因反复擦写导致的寿命衰减问题。其写入耐久性高达10^14次，意味着即使每秒进行一次写入操作，理论上也可持续使用超过300万年，极大地延长了设备的使用寿命并减少了维护成本。
　　另一个关键优势是写入速度。由于F-RAM的写入过程本质上是一个内存访问操作，不需要像EEPROM那样经历编程和擦除的延时周期，因此所有写入操作都是即时完成的。用户可以在发送完数据后立即进行下一次操作，无需轮询状态位或等待写入完成信号。这一特性使得FM24CL64特别适用于需要实时记录传感器数据、日志信息或配置参数的应用场景，例如工业PLC控制系统中的事件记录、智能电表中的用电数据存储或医疗设备中的患者治疗历史保存。
　　此外，F-RAM的功耗表现也非常出色。在待机状态下，电流消耗仅为10μA左右，而在活跃写入时也仅需约250μA（在1MHz速率下），相比传统EEPROM动辄数毫安的写入电流，显著降低了系统整体能耗，有利于电池供电设备的设计。同时，器件支持I2C总线协议，兼容标准地址格式，最多可支持8个设备在同一总线上运行（通过硬件地址引脚配置），增强了系统的扩展能力。内置的写保护功能可通过WP引脚锁定整个存储空间，防止误操作造成的数据损坏，进一步提升系统可靠性。

FM24CL64广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛以及需要非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）、远程终端单元（RTU）和传感器节点中，用于实时记录设备运行状态、故障日志和校准参数。由于其无延迟写入特性，能够在电源突然中断前瞬间保存关键数据，避免信息丢失，非常适合工厂环境中的断电保护机制。
　　在智能仪表方面，如智能电表、水表和气表，FM24CL64被用来存储用户的用量数据、计费信息和操作日志。这些设备通常需要每天多次写入数据，而传统EEPROM可能在几年内达到寿命极限，而FM24CL64则可确保长达数十年的稳定运行，大幅降低更换频率和维护成本。
　　在医疗设备中，如便携式监护仪、血糖仪和输液泵，该芯片可用于保存患者治疗记录、设备设置和自检结果。这些数据往往涉及人身安全，必须保证绝对可靠且不可篡改，F-RAM的高耐久性和数据保持能力正好满足这一需求。
　　汽车电子系统也是其重要应用场景之一，包括车载黑匣子（Event Data Recorder）、ECU配置存储和胎压监测系统（TPMS）。在车辆启动/关闭过程中频繁更新状态信息时，FM24CL64能够快速响应并安全存储数据，不受电源波动影响。
　　此外，在消费类电子产品如打印机、POS终端和智能家居控制器中，FM24CL64可用于存储固件配置、用户偏好设置和使用统计信息，提升用户体验的同时减少系统复杂度。其小尺寸封装也便于在空间受限的PCB布局中使用。

CY15B104QSI,ZM24C64,MB85RC64,AT24C64D