存储容量：16 Kbit (2048 × 8)
　　接口类型：I2C，支持1 MHz高速模式
　　工作电压：2.0 V 至 3.6 V
　　待机电流：15 μA（典型值）
　　工作电流：200 μA（@ 1 MHz，VDD = 3.3 V）
　　写入耐久性：10^14 次读写循环
　　数据保持时间：> 10 年（在85°C下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSSOP-8
　　页面大小：64 字节/页
　　总页数：32 页
　　地址宽度：11 位（A0-A2 硬件地址选择）
　　写保护引脚：有（WP 引脚，低电平有效）

FM24CL16B-DGTR的核心特性之一是其基于铁电技术的非易失性存储单元，这种材料在电场作用下可实现快速极化状态切换，从而完成数据写入操作。与传统EEPROM依赖于电子隧穿机制不同，F-RAM的写入过程几乎无延迟，写入速度与读取相同，支持字节级随机写入而无需擦除步骤，显著提升了系统效率。这一特性使得它特别适合需要实时数据采集和频繁更新的应用场景，例如在电力监控系统中连续记录电压、电流参数时，不会因存储写入延迟导致数据丢失。
　　另一个关键优势是其卓越的写入耐久性，达到10^14次，这意味着即使每秒进行一次写操作，理论上也可持续使用超过300万年而不损坏。相比之下，标准EEPROM通常仅支持10万次写入，极易在高频率写入应用中提前失效。因此，FM24CL16B-DGTR极大降低了系统维护成本和故障风险，提高了整体可靠性。同时，由于没有像闪存那样的块擦除机制，避免了“写放大”问题，也减少了MCU端的复杂管理逻辑。
　　该芯片支持标准I2C协议，兼容多种主控设备，并可在1 MHz高速模式下运行，确保高效的数据吞吐能力。其低功耗设计使其在电池供电设备中表现出色，待机电流仅为15 μA，工作电流也控制在合理范围内。此外，器件具备硬件写保护功能，通过外部WP引脚可锁定整个存储区域，防止误写或恶意篡改，增强了数据安全性。内置的地址锁存和应答检测机制进一步提升了通信稳定性。在环境适应性方面，FM24CL16B-DGTR可在-40°C至+85°C宽温范围内稳定工作，满足工业级应用需求。综上所述，该芯片集高速、高耐久、低功耗和强可靠性于一体，是替代传统非易失性存储器的理想选择。

FM24CL16B-DGTR广泛应用于需要频繁写入、高可靠性和非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化领域的数据记录仪，用于实时采集传感器信号如温度、压力、流量等参数，并在断电后依然保留最新数据，确保生产过程的连续性和可追溯性。在智能电表和水表中，该芯片可用于存储累计用量、事件日志和校准信息，因其无限写入寿命，避免了传统EEPROM因频繁更新计数而导致的早期损坏问题。
　　在医疗设备中，如病人监护仪、血糖仪和便携式诊断设备，FM24CL16B-DGTR可用于保存患者历史数据、设备配置和操作日志，保障关键信息的安全性和持久性。汽车电子系统中，该芯片适用于记录车辆运行状态、故障码和里程信息，尤其在启停系统或紧急断电情况下仍能完整保存数据。此外，在POS终端、打印机和条码扫描器等商业设备中，用于缓存交易记录、打印队列和用户设置，提升响应速度和用户体验。
　　由于其低功耗特性，该芯片也常见于物联网节点和无线传感器网络中，作为本地数据缓冲区，在通信中断时暂存采集数据，待网络恢复后再上传，有效提高系统的容错能力。在测试测量仪器中，用于存储校准系数、测试结果和时间戳，确保测量精度不受电源波动影响。总之，任何需要“即时写入、永不丢失”的存储场景都是FM24CL16B-DGTR的适用领域，特别是在传统EEPROM或闪存无法满足耐久性要求的情况下，该F-RAM芯片展现出不可替代的优势。

CY15B104QSN,CY15B108QS,CY15B102QN