存储容量：4 kbit (512 x 8)
　　接口类型：I2C 兼容，双线串行接口
　　工作电压范围：2.0V 至 3.6V
　　时钟频率支持：100 kHz（标准模式）、400 kHz（快速模式）、1 MHz（高速模式）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-pin SOIC, 8-pin DFN, 8-pin TSSOP
　　写入耐久性：> 10^14 次写周期
　　数据保持时间：> 10 年（在+85°C下）
　　待机电流：15 μA（典型值）
　　工作电流：250 μA（1 MHz连续读取）
　　写入周期时间：无延迟（即时写入）

FM24CL04所采用的铁电存储技术是其核心优势所在。F-RAM利用铁电材料的极化状态来存储数据，这种极化状态在外部电源移除后依然能够保持稳定，从而实现非易失性存储。与基于浮栅技术的EEPROM或Flash不同，F-RAM在写入时不依赖于电子隧穿效应，而是通过施加电场改变铁电晶体的极化方向，这一过程不仅速度快，而且不会对介质造成物理损伤，因此具备近乎无限的写入耐久性，达到10^14次以上，远远超过传统非易失性存储器的10万到100万次限制。这意味着FM24CL04可以在不考虑寿命损耗的情况下频繁进行数据记录，非常适合用于实时数据采集、日志记录和事件追踪等需要高频率写入的场景。
　　另一个显著特点是其“即时写入”能力。传统EEPROM在每次写操作后都需要一段较长的编程时间（通常为几毫秒），在此期间无法响应新的访问请求，形成写入瓶颈。而FM24CL04没有这样的延迟，每个字节写入完成后即可立即接受下一个指令，极大提升了系统的响应速度和效率。此外，由于写入过程能耗极低，整体功耗远低于同类产品，特别适用于由电池或能量采集装置供电的嵌入式系统。
　　该器件完全兼容I2C总线协议，支持多设备共用总线，最多可连接8个具有不同地址的FM24CL04芯片（通过硬件引脚设置设备地址）。其内置的写保护功能可通过WP引脚实现硬件级别的写入锁定，防止意外修改关键数据。此外，FM24CL04在上电和掉电过程中具有自动写保护机制，确保在电源不稳定时数据不会被错误写入或擦除，进一步增强了数据安全性。所有这些特性共同使FM24CL04成为高性能、高可靠性数据存储的理想选择。

FM24CL04因其高耐久性、快速写入和低功耗特性，被广泛应用于多个对数据完整性与系统性能有严格要求的领域。在工业自动化中，常用于PLC控制器、传感器节点和远程监控设备中，用于实时记录工艺参数、故障代码和运行日志，即使在频繁断电或恶劣环境下也能确保数据不丢失。在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪和输液泵中，FM24CL04可用于存储患者信息、使用历史和校准数据，满足医疗行业对数据长期可靠保存的需求。
　　在智能仪表领域，例如电表、水表和燃气表，FM24CL04可用于记录用量数据、抄表时间和异常事件，其高写入次数特性避免了因每日多次写入导致的传统EEPROM提前失效问题。在汽车电子系统中，可用于存储配置信息、诊断日志和黑匣子数据，尤其适用于新能源汽车中的电池管理系统（BMS），用于记录充放电循环和温度变化。
　　此外，在物联网终端和无线传感器网络中，设备通常依靠电池或能量采集供电，FM24CL04的低功耗和无需等待的写入特性显著降低了系统能耗并提高了响应速度。消费类电子产品如打印机、POS机和智能家居设备也利用其优势来存储固件配置、用户设置和交易记录。总之，任何需要频繁写入、快速响应和长期数据保留的应用场景，都是FM24CL04的理想用武之地。

CY15B104Q,SPI接口版本相似容量F-RAM
　　FM24V05,同系列512字节I2C F-RAM
　　MB85RC512,富士通出品的512字节I2C FRAM
　　ABFRAM4ML,安森美推出的兼容I2C接口4kbit F-RAM