类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.9A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（典型值，VGS=-4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：11nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT26

DME2459是一款高性能的P沟道MOSFET，具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其导通电阻在VGS=-4.5V时仅为45mΩ，这在同类产品中表现出色，有助于减少发热并提高整体系统性能。
　　该器件支持高达-4.9A的连续漏极电流，适用于中高功率负载开关和电源管理应用。此外，DME2459的栅极电荷较低（仅11nC），使其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于各种严苛的工业和消费类应用环境。其SOT26封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　此外，DME2459具备良好的栅极氧化层耐压能力，栅源电压可承受±12V，提高了在复杂电路环境中的稳定性和可靠性。其内部结构优化设计，有助于降低电磁干扰（EMI），适用于对EMI敏感的应用场景。

DME2459广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，如便携式电子设备中的负载开关、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、同步整流器、电源多路复用器以及各种低电压高效率的开关电源设计。
　　在便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中，DME2459可用于高效控制电池供电路径，实现快速充电和低功耗待机功能。在工业控制系统中，它可以作为高边开关用于控制电机、传感器或其他外围设备的供电。
　　此外，该器件也适用于电源冗余设计、热插拔电路保护以及LED照明系统的调光控制等应用场景。

Si2301DS、IRML2803、DMG2996U、AO4406A、FDN340P