时间：2025/7/11 13:11:14
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FM21X472K101PXG 是一款高性能的 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由富士通半导体公司生产。FRAM 是一种非易失性存储技术，结合了 RAM 的高速读写性能和闪存的非易失性特点。该型号具有低功耗、高耐用性和快速写入能力等特性，适用于需要频繁数据记录和断电保护的应用场景。
FRAM 技术通过铁电材料实现数据存储，在不使用电池的情况下可以保存数据，并且支持无限次读写操作，从而使其在工业控制、医疗设备、消费电子等领域得到了广泛应用。
容量：512 Kbit
接口类型：I2C
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：8-SOIC
数据保留时间：超过10年
读写耐久性：10^12 次
时钟频率：最高 400kHz
FM21X472K101PXG 的主要特点是其采用 FRAM 技术，这使它具备以下优点：
1. 非易失性存储功能：即使在没有电源供应的情况下，数据仍然能够被安全保存。
2. 快速写入能力：相比传统的 EEPROM 和闪存，FRAM 提供更短的数据写入延迟。
3. 极高的读写耐久性：支持几乎无限次的读写循环，非常适合频繁更新数据的应用环境。
4. 低功耗运行：由于 FRAM 不需要像闪存那样进行复杂的擦除和写入操作，因此它的能耗更低。
5. 简化的系统设计：减少了对备用电池或电容的需求，简化了硬件结构并提高了系统的可靠性。
这款 FRAM 芯片广泛应用于需要高效数据记录与存储的领域，包括但不限于：
1. 工业自动化：用于 PLC、传感器节点中的实时数据记录。
2. 医疗设备：如血糖仪、心率监测器等需要频繁存储健康数据的便携式设备。
3. 计量仪表：智能电表、水表等需要可靠保存累计消耗量信息的场合。
4. 消费电子产品：数码相机、游戏机等产品中用作缓存或日志记录。
5. 数据备份：为关键任务型系统提供即时断电保护功能。
MB85RC512T-MNE, FM25L16-BNE
