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FM21X471K251PXG 发布时间 时间:2025/7/1 2:05:23 查看 阅读:23

FM21X471K251PXG 是一款高性能的非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM),由富士通微电子(Fujitsu)推出。FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写特性和闪存的非易失性,具有低功耗、高耐久性和快速写入的优点。该型号广泛应用于需要频繁数据记录和高可靠性的工业、医疗及消费类电子产品中。

参数

容量:256Kb
  接口类型:SPI
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOP-8
  数据保存时间:超过10年
  擦写次数:超过10^12次

特性

FM21X471K251PXG 使用铁电材料作为存储介质,具备以下显著特点:
  1. 高速写入能力,无需等待数据刷新。
  2. 极高的耐久性,支持超过一万亿次的擦写操作,适用于频繁更新数据的应用场景。
  3. 低功耗设计,尤其在写入操作时相比传统 EEPROM 和闪存功耗更低。
  4. 非易失性数据存储,在断电后仍能保持数据完整性。
  5. 提供多种保护机制,确保数据安全性和可靠性。
  6. 小巧的 SOP-8 封装形式适合紧凑型设计需求。

应用

该芯片广泛用于各种需要可靠数据存储和频繁数据记录的场景,例如:
  1. 工业控制设备中的日志记录和参数存储。
  2. 医疗设备中的患者数据记录和诊断信息存储。
  3. 消费类电子产品中的配置文件保存。
  4. 计量仪表中的能耗数据记录。
  5. 物联网设备中的传感器数据采集与存储。
  其卓越的性能和可靠性使其成为众多高要求应用场景的理想选择。

替代型号

FM21X471K251TSG, MB85RS256T-SNE

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