时间：2025/7/1 2:05:23
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FM21X471K251PXG 是一款高性能的非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM)，由富士通微电子（Fujitsu）推出。FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写特性和闪存的非易失性，具有低功耗、高耐久性和快速写入的优点。该型号广泛应用于需要频繁数据记录和高可靠性的工业、医疗及消费类电子产品中。
容量：256Kb
接口类型：SPI
工作电压：1.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOP-8
数据保存时间：超过10年
擦写次数：超过10^12次
FM21X471K251PXG 使用铁电材料作为存储介质，具备以下显著特点：
1. 高速写入能力，无需等待数据刷新。
2. 极高的耐久性，支持超过一万亿次的擦写操作，适用于频繁更新数据的应用场景。
3. 低功耗设计，尤其在写入操作时相比传统 EEPROM 和闪存功耗更低。
4. 非易失性数据存储，在断电后仍能保持数据完整性。
5. 提供多种保护机制，确保数据安全性和可靠性。
6. 小巧的 SOP-8 封装形式适合紧凑型设计需求。
该芯片广泛用于各种需要可靠数据存储和频繁数据记录的场景，例如：
1. 工业控制设备中的日志记录和参数存储。
2. 医疗设备中的患者数据记录和诊断信息存储。
3. 消费类电子产品中的配置文件保存。
4. 计量仪表中的能耗数据记录。
5. 物联网设备中的传感器数据采集与存储。
其卓越的性能和可靠性使其成为众多高要求应用场景的理想选择。
FM21X471K251TSG, MB85RS256T-SNE
