时间：2025/5/26 19:44:24
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FM21N560J251PAG 是一款由富满微电子（Fullriver）生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等特点，适用于多种功率转换和电源管理应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 PDFN3*3-8L，尺寸紧凑，非常适合对空间要求较高的设计场景。其工作电压范围广，能够满足不同电路环境的需求。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1470pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FM21N560J251PAG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗并提升效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用环境。
3. 高可靠性的设计，能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。
4. 小型化的封装形式，有助于减少 PCB 占用面积。
5. 支持大电流操作，适用于高功率密度的设计需求。
6. 提供优异的热性能表现，确保长时间运行时的稳定性。
FM21N560J251PAG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. LED 照明系统的驱动与保护。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 笔记本电脑适配器及手机快充模块中的关键组件。
7. 各类便携式电子设备的电池管理系统（BMS）。
FM21N560J251PBG, IRF540N, FDN340P
