时间：2025/6/30 11:37:32
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FM21N100J251PAG是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor生产。该器件采用N沟道增强型技术，主要应用于高电压、高效率的开关电源和电机驱动等场景。其封装形式为TO-247，具有出色的电气特性和散热性能。
这款MOSFET的最大漏源极电压为100V，导通电阻较低，能够在高频开关应用中提供高效的能源转换能力。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极电荷：90nC
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
FM21N100J251PAG具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，其优化的栅极电荷设计使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，适用于长时间运行的工业环境。
该芯片还具备快速开关速度和较低的米勒电容，有助于改善EMI性能并简化电路设计。由于采用了先进的制造工艺，FM21N100J251PAG在高温环境下也能保持稳定的电气特性，适合用于对温度敏感的应用场合。
FM21N100J251PAG广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器和UPS系统
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 太阳能逆变器
6. 电动车充电模块
由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET特别适合要求高效率和高可靠性的工业级和消费级应用。
IRFP260N
STP25NF10L
FDP18N10
IXFK24N100
