时间：2025/9/10 5:43:40
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SMG35VB151M8X11LL 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装（SMD）功率MOSFET模块，专为高功率密度和高效率应用设计。该器件采用双功率MOSFET结构，适用于需要高电流和低导通电阻（Rds(on)）的电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电池管理系统等。其紧凑的封装设计使其适用于空间受限的应用场景。
类型：功率MOSFET模块
配置：双N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：35V
最大漏极电流（Id）：8A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
封装类型：LLP（Leadless Leadframe Package）
尺寸：8mm x 11mm
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻（Rth）：35°C/W
安装类型：表面贴装
SMG35VB151M8X11LL 采用先进的功率MOSFET技术和双通道设计，提供优异的导通性能和热管理能力。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。LLP封装具有优异的散热性能，有助于将热量快速传导至PCB，从而提高器件的可靠性和稳定性。此外，该器件具有高电流承载能力，适用于高频开关应用，且具备良好的抗振性和机械稳定性，适合在恶劣环境下使用。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。该器件还具备良好的短路和过热保护能力，提高了系统在高负载条件下的安全性。
SMG35VB151M8X11LL 主要应用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其紧凑的封装和高性能特性使其非常适合用于空间受限但需要高功率输出的电子设备中，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源模块、工业控制板和汽车电子系统。
SiZ600DT, SQM100N03-07, IPB013N04N3 G
