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FLU17XMT 发布时间 时间:2025/9/22 11:01:13 查看 阅读:8

FLU17XMT是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用而设计,广泛应用于便携式电子设备、开关模式电源(SMPS)、逆变器和续流二极管等场景。作为一款单芯片结构的肖特基二极管,FLU17XMT具有低正向电压降(VF)和快速反向恢复时间的特点,使其在高频整流应用中表现出色。其最大重复峰值反向电压(VRRM)为40V,最大平均整流电流为1A,在轻负载和中等功率条件下能够提供高效的能量转换性能。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)和符合AEC-Q101汽车级可靠性认证,适用于对环境与可靠性要求较高的工业及车载电子产品。由于其紧凑的SOD-123FL封装形式,FLU17XMT非常适合用于空间受限的PCB布局设计中,同时具备良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型:肖特基二极管
  封装:SOD-123FL
  最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大平均整流电流(IO):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  正向电压(VF):典型值0.48V(在1A时),最大值0.575V(在1A时)
  最大反向漏电流(IR):0.5mA(在25°C时),10mA(在125°C时)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约200°C/W(在FR-4板上)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:2

特性

FLU17XMT的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,从而显著降低了功率损耗并提高了系统整体效率。在1A的工作电流下,其典型正向电压仅为0.48V,相比传统PN结二极管可节省高达30%以上的导通损耗,特别适合用于电池供电设备或需要长时间运行的低功耗系统中。这种低VF特性还减少了发热问题,有助于提升系统的长期稳定性和寿命。
  该器件具备非常快的开关速度,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,几乎不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短,通常在纳秒级别。这一特点使得FLU17XMT在高频开关电路如DC-DC转换器、同步整流辅助路径以及PWM控制回路中表现优异,能有效减少开关噪声和电磁干扰(EMI),提升电源响应速度与动态调节能力。
  FLU17XMT通过了AEC-Q101汽车级认证,表明其在极端温度循环、高温高湿偏置、机械振动等严苛条件下仍能保持可靠运行,因此不仅可用于消费类电子,还可广泛应用于汽车电子系统,例如车载充电器、LED照明驱动、车身控制模块等。其宽广的工作结温范围(-55°C至+150°C)进一步增强了其在恶劣环境下的适应性。
  SOD-123FL封装是一种超小型表面贴装封装,体积比传统的SOD-123更薄,更适合现代高密度PCB布局需求。该封装优化了散热路径,提升了热传导效率,即使在较高环境温度下也能维持良好性能。此外,该器件无铅且符合RoHS与无卤素规范,满足全球主流环保法规要求,适合出口型产品使用。

应用

FLU17XMT被广泛应用于多种需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费电子产品中的电池保护与充放电管理电路,例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等,其中它常被用作防反接二极管或电源切换开关的续流元件。在各类AC-DC和DC-DC开关电源中,FLU17XMT可作为次级侧整流二极管使用,尤其是在低电压输出(如3.3V、5V)的反激式或降压拓扑结构中,其低正向压降可明显提高转换效率。
  在太阳能充电控制器、USB充电端口保护电路以及适配器电源模块中,该器件也发挥着重要作用,用于防止电流倒灌并实现快速响应的电压钳位功能。此外,由于其快速响应能力和良好的温度稳定性,FLU17XMT也适用于电机驱动电路中的续流二极管角色,帮助抑制感性负载关断时产生的反向电动势,保护主控开关器件(如MOSFET或IGBT)。
  在汽车电子领域,该器件可用于车灯驱动、车载信息娱乐系统电源、远程无钥匙进入模块以及其他低压电源分配网络中,提供可靠的整流与保护功能。同时,因其具备较强的抗瞬态脉冲能力(30A浪涌电流耐受),也能在一定程度上抵御电源线路上的电压突波冲击,增强系统鲁棒性。

替代型号

MBR140,MURS140,1N5819WS,B140A,BAT54C

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