时间：2025/7/5 5:52:22
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DMG9933USD 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 SOT26 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合于便携式设备、电源管理、负载开关和 DC-DC 转换等应用。其出色的电气性能和小尺寸封装使其成为需要高效能和节省空间的设计的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±10V
连续漏极电流(Id)：3.8A
导通电阻(Rds(on))：175mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总功耗(Ptot)：400mW
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
DMG9933USD 的主要特性包括以下几点：
1. 高效的开关性能，能够显著降低导通损耗。
2. 极低的输入电容和输出电容设计，有助于提升开关速度。
3. 提供了优异的 ESD 防护能力，增强了器件的可靠性。
4. 采用小型化 SOT26 封装，非常适合对空间有严格要求的应用场景。
5. 支持高达 30V 的漏源电压，能够在多种电压环境下稳定运行。
DMG9933USD 广泛应用于以下几个领域：
1. 电池供电设备中的负载开关控制。
2. 移动设备和消费类电子产品的电源管理。
3. DC-DC 转换器中的同步整流开关。
4. LED 驱动电路中的功率开关。
5. 保护电路中的过流保护和短路保护元件。
DMG3410USS, DMG2307UX
