FK7KM12是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低功耗并提升系统性能。
FK7KM12属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在满足高电流、高频率应用的需求,同时具有出色的热稳定性和抗电磁干扰能力。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:超高速
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
3. 内置反向二极管,支持续流保护功能。
4. 良好的热性能,能够承受较高的结温。
5. 小型化封装,便于在紧凑设计中使用。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
3. 汽车电子中的负载切换和电池管理。
4. DC-DC转换器及逆变器的核心元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF06