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FK3303010L 发布时间 时间:2025/5/8 9:54:34 查看 阅读:10

FK3303010L是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统的功耗。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET系列,适合高频应用环境。其设计优化了热性能和电气特性,在各类功率转换电路中表现出色。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.0mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-220

特性

FK3303010L的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为1.0mΩ,从而减少传导损耗并提升系统效率。
  此外,它具备较高的雪崩耐量和鲁棒性,能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。
  该芯片还具有快速的开关特性,适用于高频功率转换场合,同时其优化的热阻确保在大电流负载下也能维持较低的工作温度。
  其保护功能完善,包括过流保护和短路保护,进一步提升了产品的可靠性。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
  3. 电机驱动控制
  4. 电池保护与管理
  5. 高效负载开关设计
  6. 工业自动化设备中的功率模块
  7. 汽车电子系统的功率管理部分
  由于其出色的电气特性和可靠性,FK3303010L成为这些应用的理想选择。

替代型号

IRF3205
  STP30NF10L
  FDP3303N

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FK3303010L参数

  • 数据列表FK330301 View All Specifications
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 10mA,4V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12pF @ 3V
  • 功率 - 最大100mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装SSSMini3-F2-B
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FK3303010L-NDFK3303010LTR