时间：2025/5/23 19:09:41
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FK08N470J502EEG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压应用场合，通常用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为高效功率转换的理想选择。
这款 MOSFET 采用 TO-247 封装形式，能够承受较高的电压和电流负载，同时具备良好的热性能。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：8A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
导通电阻：3.5Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
功耗：160W
工作温度范围：-55℃~175℃
1. 高耐压能力，支持高达 470V 的漏源电压，适用于高压工业环境。
2. 极低的导通电阻确保了在高电流应用场景下的效率提升。
3. 快速开关速度有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
4. 高温稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定运行。
5. 可靠性高，符合 RoHS 标准，并通过多项电气测试验证。
6. TO-247 封装设计提供了优异的散热性能，适合大功率应用。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率转换模块。
5. 各种需要高电压、高电流切换的应用场景。
IRFP460, FQA8N50C, STP8NK50Z
