时间：2025/7/7 19:05:09
阅读：34
FJV4113RMTF 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的封装技术以实现低导通电阻和高效率表现。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：130A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：150nC
总电容：380pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FJV4113RMTF 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并提升系统效率。
4. 高温适应性，确保在极端环境下的稳定运行。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于多种领域，包括但不限于：
1. 工业设备中的电机控制与驱动。
2. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
3. 高效 DC-DC 转换器和开关电源。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. 高功率 LED 照明驱动电路。
6. 各类需要快速开关和高效能量传输的应用场景。
FJH9113RMTF, IRF2807Z, STP130NF06L
