类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4.3A（在Tc=25℃时）
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TDFN（热增强型双扁平无引脚封装）

FJV4102RLIMTF具有多项高性能特性，首先，其采用先进的沟槽式MOSFET结构，有效降低了导通电阻，从而减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力和热稳定性，在高负载条件下仍能保持良好性能。
　　此外，FJV4102RLIMTF的TDFN封装具有优异的热管理能力，通过底部散热焊盘将热量快速传导至PCB，提高了整体散热效率。这种封装形式也使得器件适用于自动化贴片工艺，便于大批量生产与组装。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，可在+4.5V至+20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。其内部结构优化减少了开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。
　　同时，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在短时过压或过流条件下保持稳定运行，提升了系统的可靠性。富士通还为该器件提供了详细的技术文档和应用指南，便于工程师进行电路设计与选型。

FJV4102RLIMTF广泛应用于各类高效率电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电与管理系统（BMS）、负载开关控制、电机驱动电路以及服务器与通信设备的电源模块等。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关使用，凭借其低Rds(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电路径控制，确保能量传输的稳定性和安全性。
　　此外，FJV4102RLIMTF也适用于高密度电源模块设计，如USB PD充电器、PoE（以太网供电）设备以及工业自动化设备中的电源分配系统。由于其封装尺寸小且散热性能优良，特别适合空间受限的便携式电子产品和嵌入式系统。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413PBF, FDV304P, FJV4102R