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FJV3104RMTF 发布时间 时间:2025/5/15 9:38:00 查看 阅读:8

FJV3104RMTF 是一款高性能的 N 治金场效应晶体管(NMOS),广泛应用于功率开关、负载开关以及各种电源管理电路。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度,非常适合需要高效能和小封装的应用场景。
  其封装形式为 LFPAK88,具备良好的散热性能和紧凑的设计,能够满足现代电子设备对小型化和高效率的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:160A
  导通电阻(典型值):1.0mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关时间(开启/关闭):10ns/15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

FJV3104RMTF 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使得它在功率转换应用中表现出色。此外,其快速开关特性和低栅极电荷也使其能够在高频操作中保持高效率。
  该器件还具有出色的热稳定性和可靠性,在高温环境下依然可以正常运行。同时,LFPAK88 封装进一步提升了散热性能,确保了器件在高负载条件下的稳定性。
  另外,由于其高电流处理能力,FJV3104RMTF 在大功率电机驱动、工业自动化系统以及其他高功率密度应用场景中非常适用。

应用

该 NMOS 器件适用于多种应用领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
  3. 工业控制和自动化系统中的负载开关
  4. 高功率 LED 驱动电路
  5. 太阳能逆变器和其他新能源转换设备
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关
  FJV3104RMTF 凭借其优越的性能和可靠性,成为这些应用的理想选择。

替代型号

FJH3104RMTF
  FJV3105RMTF
  FJD3104RMTF

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FJV3104RMTF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)